[发明专利]一种薄膜缺陷之属性的确定方法有效
| 申请号： | 201711332288.2 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108122803B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈莉芬;刘宇;王卉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种薄膜缺陷之属性的确定方法。薄膜缺陷之属性的确定方法，包括，步骤S1：提供硅基衬底，并在硅基衬底上制备各功能层；步骤S2：将功能层上之待分析剥离缺陷在电镜作用下进行定位；步骤S3：对具有待分析剥离缺陷之硅基衬底上淀积氧化层，以将待分析剥离缺陷在硅基衬底上进行固定；步骤S4：将具有已固定之待分析剥离缺陷的硅基衬底归于定位处，并进行薄膜缺陷之属性的确定。本发明不仅可以在电镜的作用下对剥离缺陷进行定位，并通过淀积氧化层固定所述剥离缺陷，进行归于定位处进行薄膜缺陷之属性确定，而且可以明确剥离缺陷之来源，并进行针对性的工艺改善，以消除剥离缺陷，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 缺陷 属性 确定 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜缺陷之属性的确定方法，其特征在于，所述薄膜缺陷之属性的确定方法，包括，执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底上制备各功能层；执行步骤S2：将所述功能层上之待分析剥离缺陷在电镜作用下进行定位；执行步骤S3：在具有待分析剥离缺陷之硅基衬底上淀积氧化层，以将所述待分析剥离缺陷在所述硅基衬底上进行固定；执行步骤S4：将具有已固定之待分析剥离缺陷的硅基衬底归于定位处，并进行薄膜缺陷之属性的确定。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711332288.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种工艺测试键测试电路及其实现方法
- 下一篇：TFT阵列基板全接触式测试线路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
