[发明专利]一种薄膜缺陷之属性的确定方法

说明书

本发明公开一种薄膜缺陷之属性的确定方法。薄膜缺陷之属性的确定方法，包括，步骤S1：提供硅基衬底，并在硅基衬底上制备各功能层；步骤S2：将功能层上之待分析剥离缺陷在电镜作用下进行定位；步骤S3：对具有待分析剥离缺陷之硅基衬底上淀积氧化层，以将待分析剥离缺陷在硅基衬底上进行固定；步骤S4：将具有已固定之待分析剥离缺陷的硅基衬底归于定位处，并进行薄膜缺陷之属性的确定。本发明不仅可以在电镜的作用下对剥离缺陷进行定位，并通过淀积氧化层固定所述剥离缺陷，进行归于定位处进行薄膜缺陷之属性确定，而且可以明确剥离缺陷之来源，并进行针对性的工艺改善，以消除剥离缺陷，提高产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种薄膜缺陷之属性的确定方法。

背景技术

在实际芯片生产过程中，我们发现0.11μm闪存和逻辑平台的芯片在钝化层合金化工艺后通常会出现大量的剥离缺陷。上述剥离缺陷在光学显微镜(OM)观测下呈现出薄片状，且具有很大的尺寸，甚至可达几十微米的大小。

显然地，上述密集且大尺寸的剥离缺陷对后续的工艺和后端封测带来了很大影响。同时由于所述剥离缺陷为剥落所致，仅落置于基底上，故极易污染后续工艺的机台和机台中的其他产品。

为了消除上述衍生的剥离缺陷，工作人员需要分析剥离缺陷的成分和厚度，以确定所述剥离缺陷之来源，从而通过相关工艺进行针对性的改善。但是，在剥离缺陷的分析过程中，本领域工作人员通常遇到如下问题，即由于所述剥离缺陷呈薄片状，并且和硅片表面没有任何粘附力，所以在对其进行失效(FA)分析，机台抽真空时，剥离缺陷势必被抽真空时所形成的气流挪动至其他地方，造成无法定位，进而分析失败。

故针对现有技术存在的问题，本案设计人凭借从事此行业多年的经验，积极研究改良，于是有了本发明一种薄膜缺陷之属性的确定方法。

发明内容

本发明是针对现有技术中，所述剥离缺陷呈薄片状，并且和硅片表面没有任何粘附力，所以在对其进行失效(FA)分析，机台抽真空时，剥离缺陷势必被抽真空时所形成的气流挪动至其他地方，造成无法定位，进而分析失败等缺陷提供一种薄膜缺陷之属性的确定方法。

为实现本发明之目的，本发明提供一种薄膜缺陷之属性的确定方法，所述薄膜缺陷之属性的确定方法，包括，

执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底上制备各功能层；

执行步骤S2：将所述功能层上之待分析剥离缺陷在电镜作用下进行定位；

执行步骤S3：对具有待分析剥离缺陷之硅基衬底上淀积氧化层，以将所述待分析剥离缺陷在所述硅基衬底上进行固定；

执行步骤S4：将具有已固定之待分析剥离缺陷的硅基衬底归于定位处，并进行薄膜缺陷之属性的确定。

可选地，所述功能层为钝化层、金属层、介质层的至少其中之一。

可选地，所述电镜为光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)的至少其中之一。

可选地，所述氧化层的淀积方法为化学气相沉积。

可选地，所述氧化层的厚度根据所述剥离缺陷之厚度进行设置。

可选地，所述氧化层的厚度至少覆盖所述剥离缺陷，并将所述剥离缺陷固定。

可选地，所述薄膜缺陷之属性为剥离缺陷之厚度、成分。

可选地，所述薄膜缺陷之属性的确定方法采用能谱仪(EDX)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)的至少其中之一。