[发明专利]一种薄膜缺陷之属性的确定方法有效
| 申请号： | 201711332288.2 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108122803B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈莉芬;刘宇;王卉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 缺陷 属性 确定 方法 | ||
1.一种薄膜缺陷之属性的确定方法，其特征在于，所述薄膜缺陷之属性的确定方法，包括，
执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底上制备各功能层；
执行步骤S2：将所述功能层上之待分析剥离缺陷在电镜作用下进行定位；
执行步骤S3：在具有待分析剥离缺陷之硅基衬底上淀积氧化层，以将所述待分析剥离缺陷在所述硅基衬底上进行固定；
执行步骤S4：将具有已固定之待分析剥离缺陷的硅基衬底归于定位处，并进行薄膜缺陷之属性的确定；其中，所述氧化层的厚度根据所述剥离缺陷之厚度进行设置，并且所述氧化层的厚度至少覆盖所述剥离缺陷，并将所述剥离缺陷固定。
2.如权利要求1所述薄膜缺陷之属性的确定方法，其特征在于，所述功能层为钝化层、金属层、介质层的至少其中之一。
3.如权利要求1所述薄膜缺陷之属性的确定方法，其特征在于，所述电镜为扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)的至少其中之一。
4.如权利要求1所述薄膜缺陷之属性的确定方法，其特征在于，所述氧化层的淀积方法为化学气相沉积。
5.如权利要求1所述薄膜缺陷之属性的确定方法，其特征在于，所述薄膜缺陷之属性为剥离缺陷之厚度、成分。
6.如权利要求1所述薄膜缺陷之属性的确定方法，其特征在于，所述薄膜缺陷之属性的确定方法采用能谱仪(EDX)、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪(XPS)的至少其中之一。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
