[发明专利]氧化铍基衰减瓷金属化方法有效
| 申请号： | 201711331429.9 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN107904575B | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 毛晋峰;尚华;段冰;刘志文 | 申请（专利权）人： | 宜宾红星电子有限公司 |
| 主分类号： | C23C18/34 | 分类号： | C23C18/34;C23C18/18;C04B41/00;C04B41/90 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 张小丽;梁鑫 |
| 地址： | 644007 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域，具体涉及一种氧化铍基衰减瓷金属化方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种氧化铍基衰减瓷金属化方法，包括以下步骤：在传统金属化方法基础上，增加预处理和化学镀镍步骤中的激活及钝化操作。本发明方法有效避免了氧化铍基衰减瓷因自身特性所导致的金属化过程缺镀、铺边等缺陷，提升产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化铍 衰减 金属化 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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