[发明专利]氧化铍基衰减瓷金属化方法有效
申请号: | 201711331429.9 | 申请日: | 2017-12-13 |
公开(公告)号: | CN107904575B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 毛晋峰;尚华;段冰;刘志文 | 申请(专利权)人: | 宜宾红星电子有限公司 |
主分类号: | C23C18/34 | 分类号: | C23C18/34;C23C18/18;C04B41/00;C04B41/90 |
代理公司: | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人: | 张小丽;梁鑫 |
地址: | 644007 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化铍 衰减 金属化 方法 | ||
本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域,具体涉及一种氧化铍基衰减瓷金属化方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种氧化铍基衰减瓷金属化方法,包括以下步骤:在传统金属化方法基础上,增加预处理和化学镀镍步骤中的激活及钝化操作。本发明方法有效避免了氧化铍基衰减瓷因自身特性所导致的金属化过程缺镀、铺边等缺陷,提升产品质量。
技术领域
本发明属于电子功能陶瓷材料技术领域,具体涉及一种氧化铍基衰减瓷金属化方法。
背景技术
微波电真空管最早被人叫做超高频电子管,主要以速调管、行波管、返波管、磁控管为代表,在雷达、军用广播、卫星通信、电子对抗等国防领域有重要应用。衰减器作为微波电真空管中的重要组成部分,主要起到提供匹配电磁终端,抑制带边、高次或寄生模式振荡以及消除其它非设计模式的作用。目前常用的体结构衰减器基本是以陶瓷形态存在,所以也叫衰减瓷,而用氧化铍作为主要基体材料的衰减瓷则称为氧化铍基衰减瓷,该衰减瓷以其优良的热导率和衰减性,被广泛应用于大功率高频微波电真空管中,发挥着重要作用。
在传统的使用中,一般是将氧化铍基衰减瓷制成环状或块状,一个紧挨一个的摆放在真空管腔体内部,再采用机械固定的方式加以固定,这样的结构工艺简单,操作简便,但是对瓷体的物理尺寸要求极高,而且瓷体与腔体本质上不为一个整体,由于热膨胀系数的影响,在高温状态下容易出现瓷体与腔体变形脱离,不仅阻碍热量及时导出,更甚者产生次级振荡,导致衰减失效,破坏真空管整体性能。为了解决该问题,采用的方法是先将氧化铍基衰减瓷进行金属化处理,通过化学镀镍使其具备可焊性,最后通过焊接方式与真空管腔体结合为有机整体。
经过长期生产发现,由于氧化铍基衰减瓷自身材料的特殊性,采用常规陶瓷金属化方法,极易在过程中出现缺镀(瓷体表面金属化区域镍层缺失、不完整)、铺边(瓷体表面非金属化区域异常上镍)缺陷,且占比较高,影响成品率。
发明内容
本发明在常规陶瓷金属化方法基础上,增加了预处理和化学镀镍中的激活和钝化步骤,从而提供了一种更适合于氧化铍基衰减瓷的金属化方法,有效降低缺镀、铺边等缺陷的比例,提升成品率。
本发明所要解决的技术问题是提供一种氧化铍基衰减瓷金属化方法。该氧化铍基衰减瓷金属化方法包括以下步骤:将氧化铍基衰减瓷预处理、浆料涂覆、烧结、化学镀镍;
其中,所述的预处理包括以下步骤:
①将氧化铍基衰减瓷用盐酸浸泡、水洗、烘干;
②将步骤①处理后的氧化铍基衰减瓷在还原气氛下进行高温处理;所述高温处理具体为:于10~15min从室温升温至380~420℃;于10~15min从380~420℃升温至780~820℃;于20~25min从780~820℃升温至980~1020℃后保温30~35min;于20~25min从980~1020℃降温至580~620℃;于20~25min从580~620℃降至室温;
所述的化学镀镍包括以下步骤:
a、酸洗;
b、活化;
c、激活:将步骤b活化后的衰减瓷放入激活液中浸泡后取出;所述激活液由以下原料氯化镍︰次亚磷酸钠︰柠檬酸三钠︰氯化铵︰去离子水按照重量比50~60︰10~18︰55~75︰60~80︰700~750混合配制而成;
d、钝化:将步骤c激活后的衰减瓷用水冲洗,再放入水中浸泡,待表面无起泡产生后取出;
e、镀镍。
优选的,上述氧化铍基衰减瓷金属化方法中,所述预处理步骤①具体为:用质量分数15%~20%盐酸完全浸泡衰减瓷30~40分钟后,用清水冲洗,再用45~50KHz频率的超声波清洗10~15分钟,取出于100~120℃干燥10~15分钟。
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