[发明专利]半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201711299190.1 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108039361A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法。所述终端结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的第一P型注入区、形成于所述N型衬底及第一P型注入区表面的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的沟槽、形成于所述沟槽表面的P型扩散区域、形成于所述沟槽底部且贯穿所述N型外延层及所述P型扩散区域的通孔、形成于所述P型扩散区表面及所述通孔孔壁的氧化硅层、及形成于所述氧化硅层及所述第一P型注入区表面且位于所述通孔及所述沟槽中的多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 终端 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述终端结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的第一P型注入区、形成于所述N型衬底及第一P型注入区表面的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的沟槽、形成于所述沟槽表面的P型扩散区域、形成于所述沟槽底部且贯穿所述N型外延层及所述P型扩散区域的通孔、形成于所述P型扩散区表面及所述通孔孔壁的氧化硅层、及形成于所述氧化硅层及所述第一P型注入区表面且位于所述通孔及所述沟槽中的多晶硅层。
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