[发明专利]半导体功率器件、半导体功率器件的终端结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述终端结构包括N型衬底、形成于所述N型衬底表面的第一P型注入区、形成于所述N型衬底及第一P型注入区表面的N型外延层、形成于所述N型外延层表面的沟槽、形成于所述沟槽表面的P型扩散区域、形成于所述沟槽底部且贯穿所述N型外延层及所述P型扩散区域的通孔、形成于所述P型扩散区表面及所述通孔孔壁的氧化硅层、及形成于所述氧化硅层及所述第一P型注入区表面且位于所述通孔及所述沟槽中的多晶硅层。

2.如权利要求1所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述半导体功率器件的终端结构还包括第二P型注入区，所述第二P型注入区形成于所述N型外延层表面且邻近所述沟槽，所述氧化硅层还延伸至所述第二P型注入区的表面，所述多晶硅层的至少部分还位于所述第二P型注入区表面。

3.如权利要求2所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述半导体功率器件的终端结构还包括N型注入区，所述N型注入区形成于所述沟槽远离所述第二P型注入区的一侧的N型外延层表面，所述氧化硅层还延伸至所述N型注入区表面，所述多晶硅层的至少部分还位于所述N型注入区表面。

4.如权利要求3所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述第二P型注入区与所述P型扩散区域接触。

5.如权利要求3所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述N型注入区与所述P型扩散区域之间具有间隔。

6.如权利要求1所述的半导体功率器件的终端结构，其特征在于：所述沟槽的深度大于所述第二P型注入区的深度。

7.一种半导体功率器件，其包括有源区及形成于所述有源区外围的终端结构，其特征在于：所述终端结构采用权利要求1-6项任意一项所述的半导体功率器件的终端结构。

8.一种半导体功率器件的终端结构的制作方法，其包括如下步骤：

提供N型衬底，在所述N型衬底表面形成第一P型注入区，在所述N型衬底、所述第一P型注入区表面形成N型外延层；

使用第一光刻胶作为掩膜，分别进行P型离子注入及N型离子注入，从而在所述N型外延层表面形成第二P型注入区及N型注入区，去除所述第一光刻胶，其中所述第二P型注入区与所述N型注入区之间具有间隔；

在所述N型外延层、所述第二P型注入区及所述N型注入区表面形成氧化硅层，使用第二光刻胶作为掩膜，刻蚀所述氧化硅层形成沟槽刻蚀窗口，去除所述第二光刻胶，使用所述氧化硅层作为掩膜且利用所述沟槽刻蚀窗口刻蚀所述N型外延层形成沟槽，所述沟槽位于所述第二P型注入区及所述N型注入区之间；

利用所述沟槽进行P型扩散从而在所述沟槽表面形成P型扩散区域；

使用第三光刻胶作为掩膜，在刻蚀所述沟槽底部形成贯穿所述N型外延层且延伸至所述第一P型注入区的通孔，去除第三光刻胶；

进行热氧化从而在所述第一P型外延层对应所述通孔的表面、所述通孔的孔壁、所述P型扩散区域表面、所述第二P型注入区、所述N型注入区、所述N型外延层表面形成氧化硅层；

使用第四光刻胶作为掩膜将所述第一P型注入区表面的部分氧化硅层、所述第二P型注入区远离所述沟槽一侧的部分氧化硅层、所述N型注入区远离所述沟槽一侧的部分氧化硅层去除；及

在所述第二P型注入区上、所述第一P型注入区上、所述氧化硅层上、所述通孔及所述沟槽中、及所述N型注入区上形成多晶硅层。

9.如权利要求8所述的半导体功率器件的终端结构的制作方法，所述半导体功率器件的终端结构还包括第二P型注入区，所述第二P型注入区与所述P型扩散区域接触，所述N型注入区与所述P型扩散区域之间具有间隔。

10.如权利要求8所述的半导体功率器件的终端结构的制作方法，其特征在于：所述沟槽的深度大于所述第二P型注入区的深度。