[发明专利]利用X射线荧光熔片法快速测定轻烧镁球中的氧化镁含量的方法在审
| 申请号： | 201711291643.6 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108181337A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张霄霄 | 申请（专利权）人： | 芜湖新兴铸管有限责任公司 |
| 主分类号： | G01N23/223 | 分类号： | G01N23/223;G01N23/2202 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 邹飞艳;张苗 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用X射线荧光熔片法快速测定轻烧镁球中的氧化镁含量的方法，所述方法包括：荧光样片的制备：将轻烧镁球和四硼酸锂助熔剂混合后进行熔样，得到荧光样片；利用X射线荧光光谱仪对荧光样片进行Mg元素分析，测试荧光样片中Mg的强度和含量。解决了传统的标准方法操作步骤比较繁琐，分析时间长，且方法需使用硝酸铵试剂等危险试剂，对分析者操作技能较高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 轻烧镁球 快速测定 氧化镁 熔片 四硼酸锂 危险试剂 元素分析 传统的 硝酸铵 助熔剂 熔样 制备 分析 测试 技能 | ||
【主权项】：
1.一种利用X射线荧光熔片法快速测定轻烧镁球中的氧化镁含量的方法，其特征在于，所述方法包括：(1)荧光样片的制备：将轻烧镁球和四硼酸锂助熔剂混合后进行熔样，得到荧光样片；其中，熔样包括依次进行的四个阶段，第一阶段的条件包括：温度为840‑860℃，时间为1.5‑2.5min；第二阶段的条件包括：温度为990‑1100℃，时间为3.5‑4.5min；第三阶段的条件包括：温度为1090‑1110℃，时间为2.5‑3.5min；第四阶段的条件包括：温度为1140‑1160℃，时间为2‑3min；(2)利用X射线荧光光谱仪对荧光样片进行Mg元素分析，测试荧光样片中Mg的强度和含量。
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