[发明专利]利用X射线荧光熔片法快速测定轻烧镁球中的氧化镁含量的方法

说明书

本发明公开了一种利用X射线荧光熔片法快速测定轻烧镁球中的氧化镁含量的方法，所述方法包括：荧光样片的制备：将轻烧镁球和四硼酸锂助熔剂混合后进行熔样，得到荧光样片；利用X射线荧光光谱仪对荧光样片进行Mg元素分析，测试荧光样片中Mg的强度和含量。解决了传统的标准方法操作步骤比较繁琐，分析时间长，且方法需使用硝酸铵试剂等危险试剂，对分析者操作技能较高的问题。

技术领域

本发明涉及冶金工业生产的技术领域，具体地，涉及一种利用X射线荧光熔片法快速测定轻烧镁球中的氧化镁含量的方法。

背景技术

轻烧镁球用于转炉溅渣护炉的成分调节剂，可代替白云石的使用，提高MgO的含量，提高炉衬寿命，降低消耗。目前我们测定轻烧镁球的氧化镁含量，采用国家标准化学分析法，GB/T5069《镁铝系耐火材料化学分析方法氧化镁含量的测定EDTA络合滴定》，此化学分析法准确度较高，但操作步骤比较繁琐，分析时间长约8.5小时，且该方法需使用硝酸铵试剂，较危险目前该试剂已禁用，该方法要求分析者操作技能较高。炼钢生产节奏快，不能满足及时提供准确数据指导生产的需要，应用到生产检验不太合适。

发明内容

本发明的目的是提供一种利用X射线荧光熔片法快速测定轻烧镁球中的氧化镁含量的方法，解决了传统的标准方法操作步骤比较繁琐，分析时间长，且方法需使用硝酸铵试剂等危险试剂，对分析者操作技能较高的问题。

为了实现上述目的，本发明提供了一种利用X射线荧光熔片法快速测定轻烧镁球中的氧化镁含量的方法，所述方法包括：

(1)荧光样片的制备：将轻烧镁球和四硼酸锂助熔剂混合后进行熔样，得到荧光样片；其中，熔样包括依次进行的四个阶段，第一阶段的条件包括：温度为840-860℃，时间为1.5-2.5min；第二阶段的条件包括：温度为990-1100℃，时间为3.5-4.5min；第三阶段的条件包括：温度为1090-1110℃，时间为2.5-3.5min；第四阶段的条件包括：温度为1140-1160℃，时间为2-3min；

(2)利用X射线荧光光谱仪对荧光样片进行Mg元素分析，测试荧光样片中Mg的强度和含量。

通过上述技术方案，本发明提供了荧光样片的制备：将轻烧镁球和四硼酸锂助熔剂混合后进行熔样，得到荧光样片；其中，熔样包括依次进行的四个阶段，第一阶段的条件包括：温度为840-860℃，时间为1.5-2.5min；第二阶段的条件包括：温度为990-1100℃，时间为3.5-4.5min；第三阶段的条件包括：温度为1090-1110℃，时间为2.5-3.5min；第四阶段的条件包括：温度为1140-1160℃，时间为2-3min；利用X射线荧光光谱仪对荧光样片进行Mg元素分析，测试荧光样片中Mg的强度和含量。本发明采用上述技术方案，是通过大量实验，确认熔片的熔样时间及熔样温度，研究出准确、快速的MgO含量的分析、测定方法，经过化验验证，取得满意效果，测定结果准确、稳定，步骤简化，提高了轻烧镁球分析的工作效率。

本发明的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：

图1是轻烧镁球中的Mg工作曲线图。

具体实施方式

以下对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。

在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。