[发明专利]增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法以及浮栅型闪存结构

摘要

本发明提供了增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法以及浮栅型闪存结构。利用本发明提供的增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法，在外围电路区域的第二栅极结构的侧壁形成包括依次叠加的ONO侧墙、第三氧化层和加宽氮化层的加宽侧墙，由于加宽侧墙较ONO侧墙宽度增加，使得随后在外围电路区域进行源漏注入的离子注入区域和第二栅极结构的距离增加，可以降低高压晶体管的漏电流，并且，可以使在第二栅极结构周围基底中形成的漏极延伸区域(LDD区域)的面积增加，从而可以提高高压晶体管的击穿电压。本发明提供的浮栅型闪存结构，其设置于外围电路区域的第二栅极结构具有包括ONO侧墙、第三氧化层和加宽氮化层的加宽侧墙。

主权项

1.一种增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底包括存储单元区域和外围电路区域，所述存储单元区域形成有第一栅极结构，所述外围电路区域形成有第二栅极结构；形成ONO侧墙，所述ONO侧墙覆盖所述第一栅极结构的侧壁以及所述第二栅极结构的侧壁，所述ONO侧墙包括依次形成的第一氧化层、氮化层以及第二氧化层；在所述存储单元区域进行存储单元的源漏注入过程；去除形成于所述第一栅极结构的侧壁的ONO侧墙的第二氧化层；在所述存储单元区域和所述外围电路区域依次形成第三氧化层和加宽氮化层，所述第三氧化层覆盖所述存储单元区域和所述外围电路区域，所述加宽氮化层覆盖所述第三氧化层；以及去除位于所述第一栅极结构的侧壁以外和所述第二栅极结构的侧壁以外的所述加宽氮化层，形成覆盖所述第二栅极结构的侧壁的加宽侧墙。