[发明专利]增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法以及浮栅型闪存结构

权利要求书

1.一种增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法，其特征在于，包括：

提供一基底，所述基底包括存储单元区域和外围电路区域，所述存储单元区域形成有第一栅极结构，所述外围电路区域形成有第二栅极结构；

形成ONO侧墙，所述ONO侧墙覆盖所述第一栅极结构的侧壁以及所述第二栅极结构的侧壁，所述ONO侧墙包括依次形成的第一氧化层、氮化层以及第二氧化层；

在所述存储单元区域进行存储单元的源漏注入过程；

去除形成于所述第一栅极结构的侧壁的ONO侧墙的第二氧化层；

在所述存储单元区域和所述外围电路区域依次形成第三氧化层和加宽氮化层，所述第三氧化层覆盖所述存储单元区域和所述外围电路区域，所述加宽氮化层覆盖所述第三氧化层；以及

去除位于所述第一栅极结构的侧壁以外和所述第二栅极结构的侧壁以外的所述加宽氮化层，形成覆盖所述第二栅极结构的侧壁的加宽侧墙。

2.如权利要求1所述的增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法，其特征在于，去除形成于所述第一栅极结构侧壁的ONO侧墙的第二氧化层的步骤中，采用干法刻蚀工艺，其中，所述第二氧化层和所述氮化层的刻蚀选择比大于10。

3.如权利要求1所述的增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法，其特征在于，去除位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的侧壁以外的所述加宽氮化层步骤中，采用干法刻蚀工艺，其中，所述加宽氮化层和所述第三氧化层的刻蚀选择比大于30。

4.如权利要求1所述的增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法，其特征在于，还包括：

在所述第二栅极结构的侧壁形成加宽侧墙之后，在所述外围电路区域进行高压晶体管的源漏注入过程；以及

去除所述存储单元区域和所述外围电路区域剩余的所述加宽氮化层。

5.如权利要求4所述的增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法，其特征在于，在去除所述存储单元区域和所述外围电路区域剩余的所述加宽氮化层步骤中，采用湿法刻蚀工艺，所述湿法刻蚀工艺采用的刻蚀液为磷酸溶液。

6.如权利要求1所述的增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法，其特征在于，所述第三氧化层为二氧化硅，所述加宽氮化层为氮化硅。

7.如权利要求1所述的增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法，其特征在于，所述第三氧化层的厚度为所述加宽氮化层的厚度为

8.如权利要求1至7任一项所述的增加浮栅型闪存侧墙宽度的方法，其特征在于，在形成所述ONO侧墙之前，在所述外围电路区域进行漏极轻掺杂过程。

9.一种浮栅型闪存结构，包括一基底，所述基底包括存储单元区域和外围电路区域，所述存储单元区域用于形成存储单元，所述外围电路区域用于形成控制所述存储单元的高压晶体管，所述外围电路区域形成有第二栅极结构，其特征在于，在所述第二栅极结构的侧壁形成有加宽侧墙，所述加宽侧墙包括在第二栅极结构的侧壁表面依次叠加的ONO侧墙、第三氧化层和加宽氮化层；所述ONO侧墙包括在所述第二栅极结构的侧壁表面依次叠加的第一氧化层、氮化层以及第二氧化层，所述存储单元区域设置有第一栅极结构，在所述第一栅极结构的侧壁设置有包括所述第一氧化层、所述氮化层、所述第三氧化层以及所述加宽氮化层的侧墙。