[发明专利]周围包裹的外延结构和方法

摘要

一种方法包括形成从衬底延伸的两个鳍，每个鳍具有沟道区和两个源极/漏极(S/D)区；形成在相应的沟道区处接合每个鳍的栅极堆叠件；在栅极堆叠件的顶面和侧壁表面上方且在鳍的S/D区的顶面和侧壁表面上方沉积一个或多个介电层；以及对一个或多个介电层实施蚀刻工艺。该蚀刻工艺同时在栅极堆叠件的顶面上方产生聚合物层，导致鳍的S/D区的顶面和侧壁表面暴露，并且栅极堆叠件的大部分侧壁表面仍被一个或多个介电层覆盖。该方法还包括在鳍的S/D区的顶面和侧壁表面上方生长一个或多个外延层。本发明实施例涉及周围包裹的外延结构和方法。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：形成从衬底延伸的两个鳍，其中，每个鳍具有两个源极/漏极(S/D)区和沟道区；形成在相应的沟道区处接合每个鳍的栅极堆叠件；在所述栅极堆叠件的顶面和侧壁表面上方并且在所述鳍的源极/漏极区的顶面和侧壁表面上方沉积一个或多个介电层；对所述一个或多个介电层实施蚀刻工艺，其中，所述蚀刻工艺同时在所述栅极堆叠件的顶面上方产生聚合物层，导致所述鳍的源极/漏极区的顶面和侧壁表面暴露，并且所述栅极堆叠件的大部分侧壁表面仍被所述一个或多个介电层覆盖；以及在所述鳍的源极/漏极区的顶面和侧壁表面上方生长一个或多个外延层。