[发明专利]一种通过自扩散制备Si3N4梯度材料的方法有效
申请号: | 201711271134.7 | 申请日: | 2017-12-05 |
公开(公告)号: | CN107954722B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 郭伟明;吴利翔;牛文彬;林华泰 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | C04B35/584 | 分类号: | C04B35/584;C04B35/622 |
代理公司: | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人: | 张宁展 |
地址: | 510006 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: |
本发明公开了一种通过自扩散制备Si |
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搜索关键词: | 一种 通过 自扩散 制备 si3n4 梯度 材料 方法 | ||
【主权项】:
一种通过自扩散制备Si3N4梯度材料的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)以Si3N4和MO2,M=Ti,Zr,Hf粉为原料,以MgO‑Re2O3为烧结助剂,经混料、干燥后,得到Si3N4‑MO2‑MgO‑Re2O3混合粉体;(2)将Si3N4‑MO2‑MgO‑Re2O3混合粉体通过冷等静压成型获得坯体;将坯体埋在Si3N4粉中,并进行后续两步烧结,整个过程烧结气氛为氮气,最后得到具有MN梯度的Si3N4陶瓷。
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