[发明专利]一种稳定漏电压的新型探针结构有效

专利信息
申请号: 201711254623.1 申请日: 2017-12-01
公开(公告)号: CN108107241B 公开(公告)日: 2018-12-04
发明(设计)人: 赵毅;张捷;曲益明;陈冰 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: G01R1/06 分类号: G01R1/06
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 刘静;邱启旺
地址: 310058 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种稳定漏电压的新型探针结构。在Id‑Vg测试系统中的高频探针上焊接一个能够稳定漏极电压的芯片;所述芯片包含高速运算放大器,高速运算放大器的负极输入端通过引脚连接高频探针signal针芯,负极输入端与输出端之间接有反馈电阻R2,负极输入端和地之间接有电阻R3,在高速运算放大器的输出端接有电阻R1,在高速运算放大器的正极输入端和电源端均接直流电源;本发明的创新在于通过在探针上安装带有运放电路的芯片,利用运算放大器的虚拟短路特性将漏极电压固定,从而得到更准确的晶体管电学特性的测试结果。本发明方法避免了传统测量时因栅漏极的电压改变导致寄生电容充放电,而使测得的漏极电流失真。
搜索关键词: 高速运算放大器 负极输入端 高频探针 漏极电压 探针结构 芯片 漏电压 输出端 电阻 寄生电容充放电 运算放大器 正极输入端 测试系统 传统测量 电学特性 短路特性 反馈电阻 漏极电流 运放电路 直流电源 电源端 晶体管 探针 引脚 栅漏 针芯 焊接 失真 虚拟
【主权项】:
1.一种稳定漏电压的探针结构,其特征在于:在MOSFET晶体管的Id‑Vg测试系统中的高频探针上,焊接一个能够稳定漏极电压的芯片,组成稳定漏电压的高频探针;所述芯片包含高速运算放大器,高速运算放大器的负极输入端通过第一引脚连接高频探针signal针芯,在高速运算放大器的负极输入端与输出端之间接有反馈电阻R2,在高速运算放大器的负极输入端和地之间接有电阻R3,在高速运算放大器的输出端接有电阻R1,在高速运算放大器的正极输入端和电源端均通过电源接口接入直流电源,整个芯片的地分别通过第二引脚、第三引脚与高频探针GND针芯相连,芯片的输出端通过SMA接口接出;MOSFET晶体管漏极电压值由直流电源提供的偏置电压值确定,漏电流通过反馈电阻R2测得,反馈电阻R2的大小可以根据不同的跨阻增益进行调整,通过电阻R1和R3实现Id‑Vg测试系统的阻抗匹配。
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