[发明专利]一种稳定漏电压的新型探针结构有效
| 申请号： | 201711254623.1 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108107241B | 公开（公告）日： | 2018-12-04 |
| 发明（设计）人： | 赵毅;张捷;曲益明;陈冰 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01R1/06 | 分类号： | G01R1/06 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 刘静;邱启旺 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高速运算放大器 负极输入端 高频探针 漏极电压 探针结构 芯片 漏电压 输出端 电阻 寄生电容充放电 运算放大器 正极输入端 测试系统 传统测量 电学特性 短路特性 反馈电阻 漏极电流 运放电路 直流电源 电源端 晶体管 探针 引脚 栅漏 针芯 焊接 失真 虚拟 | ||
1.一种稳定漏电压的探针结构，其特征在于：在MOSFET晶体管的Id-Vg测试系统中的高频探针上，焊接一个能够稳定漏极电压的芯片，组成稳定漏电压的高频探针；所述芯片包含高速运算放大器，高速运算放大器的负极输入端通过第一引脚连接高频探针signal针芯，在高速运算放大器的负极输入端与输出端之间接有反馈电阻R2，在高速运算放大器的负极输入端和地之间接有电阻R3，在高速运算放大器的输出端接有电阻R1，在高速运算放大器的正极输入端和电源端均通过电源接口接入直流电源，整个芯片的地分别通过第二引脚、第三引脚与高频探针GND针芯相连，芯片的输出端通过SMA接口接出；MOSFET晶体管漏极电压值由直流电源提供的偏置电压值确定，漏电流通过反馈电阻R2测得，反馈电阻R2的大小可以根据不同的跨阻增益进行调整，通过电阻R1和R3实现Id-Vg测试系统的阻抗匹配。
2.根据权利要求1所述的一种稳定漏电压的探针结构，其特征在于：所述稳定漏极电压的芯片通过精密焊接直接安装在高频探针针芯上，可以在探针台的环境下进行测量，且新型探针中芯片这一部件与所测MOSFET晶体管之间的距离控制在1nm到10cm之间。
3.根据权利要求1所述的一种稳定漏电压的探针结构，其特征在于：Id-Vg测试系统中的数字示波器与第一微波探针之间，数字示波器与所述的稳定漏电压的高频探针之间的传输线缆均为毫米波电缆，且两段电缆长度相等，其极限带宽也需保证信号传输的完整性。
4.根据权利要求1所述的一种稳定漏电压的探针结构，其特征在于：Id-Vg测试系统的直流电源的第一通道为高速运算放大器提供偏置电压，偏置电压的大小根据测试MOSFET晶体管所需的漏极电压决定；第二通道为高速运算放大器提供工作电压；直流电源通过电源接口提供电压，电源接口为SMA接口、BNC接口、Banana接口或PIN接口。
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