[发明专利]一种亮场缺陷检测设备自动优化光强条件的方法及系统有效
| 申请号： | 201711240724.3 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108022849B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 汪金凤 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种亮场缺陷检测设备自动优化光强条件的方法及系统，所述方法包括：步骤一，自动选取一个位于晶圆中心的晶粒作为取样晶粒进行预扫描，获取反馈回来的光强灰阶值；步骤二，对收集到的数据进行分析，根据不同灰阶值定义多个区域，进而选取最亮及最暗区域放置光发射头；步骤三，选取从晶圆中心至晶圆边边缘的多个晶粒为取样序列进行光强调节，分别在所述取样序列的每个取样晶粒的对应于步骤二的最亮和最暗区域的位置放置光发射头，获取反馈回来的光强灰阶值，并据此自动优化机台提供给晶圆的光强条件，本发明能够自动且准确定义亮场扫描机台光强调节区域，得到最优的光通量条件，从而得到完善的缺陷扫描程式，同时节约时间及人力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 缺陷 检测 设备 自动 优化 条件 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种亮场缺陷检测设备自动优化光强条件的方法，包括如下步骤：步骤一，自动选取一个位于晶圆中心的晶粒作为取样晶粒进行预扫描，获取反馈回来的光强灰阶值；步骤二，对收集到的数据进行分析，根据不同灰阶值定义多个区域，进而选取最亮及最暗区域放置光发射头；步骤三，选取从晶圆中心至晶圆边边缘的多个晶粒为取样序列进行光强调节，分别在所述取样序列的每个取样晶粒的对应于步骤二的最亮和最暗区域的位置放置光发射头，获取反馈回来的光强灰度值,并据此自动优化机台提供给晶圆的光强条件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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