[发明专利]一种亮场缺陷检测设备自动优化光强条件的方法及系统

说明书

本发明公开一种亮场缺陷检测设备自动优化光强条件的方法及系统，所述方法包括：步骤一，自动选取一个位于晶圆中心的晶粒作为取样晶粒进行预扫描，获取反馈回来的光强灰阶值；步骤二，对收集到的数据进行分析，根据不同灰阶值定义多个区域，进而选取最亮及最暗区域放置光发射头；步骤三，选取从晶圆中心至晶圆边边缘的多个晶粒为取样序列进行光强调节，分别在所述取样序列的每个取样晶粒的对应于步骤二的最亮和最暗区域的位置放置光发射头，获取反馈回来的光强灰阶值，并据此自动优化机台提供给晶圆的光强条件，本发明能够自动且准确定义亮场扫描机台光强调节区域，得到最优的光通量条件，从而得到完善的缺陷扫描程式，同时节约时间及人力。

技术领域

本发明涉及集成电路制造工艺领域，特别是涉及一种亮场缺陷检测设备自动优化光强条件的方法及系统。

背景技术

随着半导体行业的飞速发展，半导体产品的研发趋向于多元化，器件尺寸越做越小，工艺制造复杂性越来越高，那么随之而来的，对缺陷检测技术的敏感度要求会越来越高，因此完善的缺陷扫描程式至关重要。

目前业内使用较多的光学缺陷扫描机台主要有亮场及暗场两种，其中亮场扫描机台的精度及敏感度更高，因此应用更广泛。其中Light training(光强调节)的结果及参数的选取是完善的扫描程式的关键。Light training(光强调节)的目的是定义机台提供给晶圆表面的光强值，决定晶圆表面的明暗度，晶圆表面各个区域太暗或者太亮都会影响缺陷扫描的敏感度。

目前线上传统建立缺陷扫描程式是通过人为选取较亮及较暗的区域为lighttraining(光强调节)的区域，得出的结果定义为机台提供给晶圆的光强值。然而，此种方法有较强的人为因素，主要通过人眼识别晶圆表面的明暗度，观察的区域及明暗的定义都有可能会有偏差，从而影响扫描程式的精度及明暗度，导致反映的缺陷的数据不够准确，影响对缺陷的判断。

发明内容

为克服上述现有技术存在的不足，本发明之目的在于提供一种亮场缺陷检测设备自动优化光强条件的方法及系统，以能够自动且准确定义亮场扫描机台light training(光强调节)区域，得到最优的光通量条件，从而得到完善的缺陷扫描程式，同时节约时间及人力。

为达上述及其它目的，本发明提出一种一种亮场缺陷检测设备自动优化光强条件的方法，包括如下步骤：

步骤一，自动选取一个位于晶圆中心的晶粒作为取样晶粒进行预扫描，获取反馈回来的光强灰阶值；

步骤二，对收集到的数据进行分析，根据不同灰阶值定义多个区域，进而选取最亮及最暗区域放置光发射头；

步骤三，选取从晶圆中心至晶圆边边缘的多个晶粒为取样序列进行光强调节，分别在所述取样序列的每个取样晶粒的对应于步骤二的最亮和最暗区域的位置放置光发射头，获取反馈回来的光强灰阶值,并据此自动优化机台提供给晶圆的光强条件。

进一步地，于步骤一中，自动选取一个位于晶圆中心的晶粒作为取样晶粒进行预扫描，将取样晶粒置于聚焦光路下，收集不同电路特征区域反馈回来的光强信号，获取反馈回来的光强灰阶值。

进一步地，于步骤二中，灰阶值范围为0～255，按照灰阶值梯度，相同灰阶值梯度划分为一个区域。

进一步地，最亮最暗的区域按照灰阶值的大小定义，当最亮及最暗区域定义好后，将光发射头放到所述区域的中心位置。

进一步地，于步骤三中，选取从晶圆中心至晶圆边缘的5到10个晶粒为取样序列进行扫描，分别在所述取样序列的每个取样晶粒的对应于步骤二的最亮和最暗区域的位置放置光发射头，光接收头在取样晶粒的整个区域进行扫描接收返回光强信号，获取反馈回来的光强灰阶值。

进一步地，于步骤三中，对两个光发射头的光强值进行叠加，再通过放大及补偿得到机台设定的最大及最小区间，进而以此作为机台提供给晶圆的光强条件。