[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201711240557.2 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108336073B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 陆湘台;陈硕懋;王敏哲;许峰诚;杨肇祥;郑心圃;洪成佾;林志贤;陈岱璋;林振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/544;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例涉及半导体结构及其制作方法，所述制作方法包含：形成重布层RDL；在所述RDL上方形成导电部件；通过所述导电部件执行第一电测试；在所述RDL上方放置第一裸片；通过所述导电部件执行第二电测试；及在所述第一裸片及所述导电部件上方放置第二裸片。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作半导体结构的方法，其包括：形成重布层RDL；在所述RDL上方形成导电部件；通过所述导电部件执行第一电测试；在所述RDL上方放置第一裸片；通过所述导电部件执行第二电测试；及在所述第一裸片及所述导电部件上方放置第二裸片。
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