[发明专利]半导体结构及其制作方法

权利要求书

1.一种制作半导体结构的方法，其包括：

形成重布层RDL；

在所述RDL上方形成导电部件；

通过所述导电部件执行第一电测试；

在所述RDL上方放置第一裸片；

形成第一底胶材料包围所述导电部件；

通过所述导电部件执行第二电测试；

形成模塑料包围所述导电部件、所述第一裸片及所述第一底胶材料；

在所述第一裸片及所述导电部件上方放置第二裸片；及

形成第二底胶材料包围所述第二裸片，

其中所述导电部件至少部分从所述模塑料暴露，并与第二底胶材料接触，在执行所述第一电测试及执行所述第二电测试时，所述导电部件从所述RDL突出。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述放置所述第一裸片和所述放置所述第二裸片之前执行所述第一电测试，或在所述放置所述第二裸片之前执行所述第二电测试。

3.根据权利要求1所述的方法，其中当所述执行所述第一电测试或所述执行所述第二电测试时，所述导电部件从所述RDL暴露。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电部件电连接到所述第一裸片或所述RDL中的导电迹线。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电部件与所述第二裸片电隔离。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电部件是安置在所述RDL上方的导电通孔或导电衬垫。

7.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述第一电测试及执行所述第二电测试是通过所述导电部件的一表面进行，且所述表面由从述模塑料暴露并与第二底胶材料接触。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一裸片在执行所述第二电测试时暴露。

9.一种半导体结构制造方法，其包括：

形成重布层RDL；

在所述RDL上方形成第一导电部件；

在所述RDL上方形成第二导电部件；

通过所述第一导电部件执行第一电测试；

在第一RDL上方安置第一裸片；

形成第一底胶材料包围所述第一导电部件；

通过所述第一导电部件执行第二电测试；

形成模塑料包围所述第一导电部件、所述第二导电部件、所述第一裸片及所述第一底胶材料；

在所述第一导电部件、所述第二导电部件和所述第一裸片上方安置第二裸片；

形成第二底胶材料包围所述第二裸片，及

在所述RDL上方安置导电凸块，

其中所述第一导电部件与所述第二裸片电隔离并至少部分从所述模塑料暴露，所述第二导电部件电连接到所述第一裸片和所述RDL中的导电迹线，所述第二底胶材料接触所述第一导电部件，所述第一导电部件与所述第二导电部件在执行所述第一电测试及执行所述第二电测试时从所述RDL突出。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一导电部件与所述第二导电部件分别或同时形成。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一裸片在执行所述第二电测试时暴露。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述模塑料的部分与所述第一导电部件接触。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述第二底胶材料形成在所述第二裸片与所述第一导电部件之间。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述模塑料与所述第二底胶材料接触。

15.根据权利要求9所述的方法，其中第二连接件安置在所述第二导电部件上方，以将所述第二裸片电连接到所述RDL。