[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

本公开提供一种半导体结构的形成方法。上述方法包括形成第一导线于基板上、沉积第一介电层于上述第一导线上、沉积第二介电层于上述第一介电层上。上述第二介电层包括不同于上述第一介电层的介电材料。上述方法也包括于第一介电层以及第二介电层中图案化出导孔开口，其中使用第一蚀刻工艺参数图案化第一介电层以及使用上述第一蚀刻工艺参数图案化第二介电层。上述方法也包括于第二介电层中图案化出沟槽开口。上述方法也包括于上述导孔开口的底部上、沿着上述导孔开口的侧壁、于上述沟槽开口的底部上以及沿着上述沟槽开口的侧壁沉积扩散阻挡层以及使用导电材料填充上述导孔开口以及上述沟槽开口。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，包括:形成一第一导线于一基板上；沉积一第一介电层于该第一导线上；沉积一第二介电层于该第一介电层上，该第二介电层包括一不同于该第一介电层的介电材料；于该第一介电层以及该第二介电层中图案化出一导孔开口，其中使用第一蚀刻工艺参数图案化该第一介电层，以及使用该第一蚀刻工艺参数图案化该第二介电层；于该第二介电层中图案化出一沟槽开口；于该导孔开口的一底部上、沿着该导孔开口的侧壁、于该沟槽开口的一底部上以及沿着该沟槽开口的侧壁沉积一扩散阻挡层；以及使用一导电材料填充该导孔开口以及该沟槽开口。