[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，包括:

形成一层间介电层于一基板上，其中该基板具有一主动装置；

形成一接点插塞于该层间介电层中，该接点插塞电性连接至该主动装置；

形成一第一蚀刻停止层于该层间介电层上；

形成一第一导线于该接点插塞上，该第一导线穿过该第一蚀刻停止层且电性连接至该接点插塞，其中该第一导线具有一第一扩散阻挡层和一第一导电材料；

沉积一第一介电层于该第一导线上；

沉积一第二介电层于该第一介电层上，该第二介电层包括一不同于该第一介电层的介电材料；

于该第一介电层以及该第二介电层中图案化出一导孔开口，其中使用第一蚀刻工艺参数图案化该第一介电层，以及使用该第一蚀刻工艺参数图案化该第二介电层；

于该第二介电层中图案化出一沟槽开口；

于该导孔开口的一底部上、沿着该导孔开口的侧壁、于该沟槽开口的一底部上以及沿着该沟槽开口的侧壁沉积一第二扩散阻挡层，其中该第二扩散阻挡层接触该第一扩散阻挡层；以及

使用一第二导电材料填充该导孔开口以及该沟槽开口，其中，

在该第一介电层中的该导孔开口的侧壁与一平行于该基板的一主要表面的平面形成一第一角度；

在该第二介电层中的该导孔开口的侧壁与平行于该基板的主要表面的该平面形成一第二角度；以及

该第一角度大于该第二角度。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中于该第一介电层以及该第二介电层中图案化出该导孔开口的步骤包括:

连续地使用该第一蚀刻工艺参数蚀刻该第一介电层以及该第二介电层。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，还包括：

形成一第二蚀刻停止层于该第一导线上，其中该第一介电层形成于该第二蚀刻停止层之上。

4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，还包括:

在图案化出该导孔开口以及形成该沟槽开口之后移除该导孔开口露出该第二蚀刻停止层的一部分，其中使用不同于该第一蚀刻工艺参数的第二蚀刻工艺参数移除该第二蚀刻停止层的该部分。

5.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其中相应于该第一蚀刻工艺参数，该第一介电层以及该第二介电层相对于该第二蚀刻停止层具有蚀刻选择性。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中于该第二介电层中形成该沟槽开口的步骤包括：

于该第一介电层以及该第二介电层中图案化出该导孔开口之后形成一光致抗蚀剂于该导孔开口之中及之上；

以一用于该沟槽开口的图案来图案化该光致抗蚀剂；以及

使用该光致抗蚀剂作为一蚀刻掩模以于该第二介电层中蚀刻出该沟槽开口。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中于该第一介电层以及该第二介电层中图案化出该导孔开口的步骤包括:

于该第二介电层中形成该沟槽开口之后形成一光致抗蚀剂于该沟槽开口之中及之上；

以一用于该导孔开口的图案来图案化该光致抗蚀剂；以及

使用该光致抗蚀剂作为一蚀刻掩模以于该第一介电层以及该第二介电层中蚀刻出该导孔开口。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，还包括:

平坦化该第二导电材料，使得该第二导电材料、该第二扩散阻挡层以及该第二介电层的顶表面对齐。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其中该第一角度为70°至80°，而该第二角度为45°至50°。