[发明专利]三维半导体器件有效
| 申请号： | 201711212963.8 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108122921B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 孙在翼;金成勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B41/35 | 分类号： | H10B41/35;H10B41/20;H10B43/35;H10B43/20;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种三维半导体器件包括：包含单元阵列区和外围电路区的半导体衬底；电极结构，其包括垂直堆叠在单元阵列区上的电极；在外围电路区上的MOS电容器；覆盖电极结构和MOS电容器的层间电介质层；在层间电介质层上的第一电源线和第二电源线，其在第一方向上彼此间隔开并在第二方向上延伸；连接到第一电源线和MOS电容器的第一端子的第一下插塞；以及连接到第二电源线和MOS电容器的第二端子的第二下插塞。第二电源线在第一下插塞中的在第一方向和第二方向中的一个方向上与第二下插塞中的一些相邻的一个第一下插塞上。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种三维半导体器件，包括：包括单元阵列区和外围电路区的半导体衬底；在所述半导体衬底上的电极结构，所述电极结构包括垂直堆叠在所述单元阵列区上的多个电极；在所述外围电路区上的MOS电容器；覆盖所述电极结构和所述MOS电容器的层间电介质层；在所述层间电介质层上的第一电源线和第二电源线，所述第一电源线和所述第二电源线在第一方向上彼此间隔开并在交叉所述第一方向的第二方向上延伸；穿透所述层间电介质层的多个第一下插塞，所述多个第一下插塞连接到所述第一电源线和所述MOS电容器的第一端子；以及穿透所述层间电介质层的多个第二下插塞，所述多个第二下插塞连接到所述第二电源线和所述MOS电容器的第二端子，所述第二电源线在所述多个第一下插塞中的在所述第一方向和所述第二方向中的一个方向上与所述多个第二下插塞中的一些相邻的一个第一下插塞上。
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