[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711209841.3 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109841626B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 陈勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括核心区和高压区，所述核心区和所述高压区上具有垫氧化层；去除所述垫氧化层；去除所述垫氧化层之后，形成至少位于所述高压区上的第一介质层；在所述第一介质层上形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，在所述核心区和所述高压区内形成隔离结构。在所述隔离结构形成之前去除所述垫氧化层，能够有效减少后续所述隔离结构形成之后，湿法刻蚀工艺的使用次数，有利于降低桥接、短路问题出现的几率，降低后续所形成栅极结构内出现缺陷的几率，有利于所形成半导体结构性能的改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括核心区和高压区，所述核心区和所述高压区上具有垫氧化层；去除所述垫氧化层；去除所述垫氧化层之后，形成至少位于所述高压区上的第一介质层；在所述第一介质层上形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，在所述核心区和所述高压区内形成隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
