[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括核心区和高压区，所述核心区和所述高压区上具有垫氧化层；

去除所述垫氧化层；

去除所述垫氧化层之后，形成至少位于所述高压区上的第一介质层；

在所述第一介质层上形成硬掩膜层；

以所述硬掩膜层为掩膜，在所述核心区和所述高压区内形成隔离结构。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，提供衬底之后，去除所述垫氧化层之前，还包括：对所述衬底进行至少一次离子注入处理。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，对所述衬底进行至少一次离子注入处理的步骤包括：第一离子注入处理、第二离子注入处理和第三离子注入处理中的一种或者多种离子注入处理；

其中，对所述高压区进行所述第一离子注入处理，以在所述高压区内形成高压阱区；

对所述核心区进行所述第二离子注入处理，以在所述核心区内形成核心阱区；

对所述核心区或者所述高压区进行所述第三离子注入处理，以形成阈值电压调制区。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一介质层还位于所述核心区上；

形成隔离结构之后，所述形成方法还包括：

去除所述硬掩膜层，露出所述第一介质层；

去除所述核心区上的第一介质层，露出所述核心区的衬底；

在所述核心区上形成第二介质层；

形成位于所述第一介质层上的第一栅极结构和位于所述第二介质层上的第二栅极结构。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一介质层位于所述高压区和所述核心区上；

所述形成方法还包括：

形成所述第一介质层之后，形成硬掩膜层之前，去除所述核心区上的第一介质层；

在所述核心区上形成第二介质层；

在所述第一介质层和所述第二介质层上形成所述硬掩膜层；

在所述衬底、所述第一介质层、所述第二介质层和所述硬掩膜层内形成所述隔离结构；

形成所述隔离结构之后，去除所述硬掩膜层；

形成位于所述第一介质层上的第一栅极结构和位于所述第二介质层上的第二栅极结构。

6.如权利要求1、4或5所述的形成方法，其特征在于，所述硬掩膜层为叠层结构，所述硬掩膜层包括第一掩膜和位于所述第一掩膜上的第二掩膜。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜的材料为多晶硅；所述第二掩膜的材料为氮化硅。

8.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜的厚度在到范围内。

9.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜的厚度在到范围内。

10.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，通过湿法刻蚀的方式去除所述硬掩膜层。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，去除所述硬掩膜层的步骤包括：

去除所述第二掩膜；

去除所述第二掩膜之后，去除所述第一掩膜。

12.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜的材料为氮化硅；通过氢氟酸去除所述第二掩膜。

13.如权利要求11所述的形成方法，其特征在于，所述第一掩膜的材料为多晶硅；通过四甲基氢氧化铵溶液去除所述第一掩膜。

14.如权利要求4或5所述的形成方法，其特征在于，通过湿法刻蚀的方式去除所述核心区上第一介质层。

15.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，通过湿法刻蚀的方式去除所述垫氧化层。