[发明专利]显示设备有效
| 申请号： | 201711209703.5 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN108155195B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 刘敏钻 | 申请（专利权）人： | 群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开是关于一种显示设备，包括：一基板，具有显示区和与该显示区相邻之一周边区；一第一晶体管，设置于该显示区之上并且包括一第一通道层，其中该第一通道层包括一氧化物半导体层；以及一第二晶体管，设置于该周边区之上并且包括一第二通道层，其中该第二通道层包括一硅半导体层。本公开中，该第一通道层的第一通道宽度与其第一通道长度的比值为第一比值，该第一比值是大于或等于0.4并且小于或等于4.5；以及该第二通道层的第二通道宽度与其第二通道长度的比值为第二比值，该第二比值是大于或等于0.05并且小于或等于0.8。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 设备 | ||
【主权项】：
一种显示设备，其特征在于，包括：一第一基板，具有一显示区以及与该显示区相邻的一周边区；一第一晶体管，设置于该显示区之上并且包括一第一通道层，其中该第一通道层包括一氧化物半导体层；以及一第二晶体管，设置于该周边区之上并且包括一第二通道层，其中该第二通道层包括一硅半导体层；其中，该第一通道层的第一通道宽度与该第一通道层的该第一通道长度的比值为第一比值，该第二通道层的第二通道宽度与该第二通道层的该第二通道长度的比值为第二比值；其中，该第一比值大于或等于0.4并且小于或等于4.5，该第二比值大于或等于0.05并且小于或等于0.8。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
