[发明专利]显示设备

说明书

本公开是关于一种显示设备，包括：一基板，具有显示区和与该显示区相邻之一周边区；一第一晶体管，设置于该显示区之上并且包括一第一通道层，其中该第一通道层包括一氧化物半导体层；以及一第二晶体管，设置于该周边区之上并且包括一第二通道层，其中该第二通道层包括一硅半导体层。本公开中，该第一通道层的第一通道宽度与其第一通道长度的比值为第一比值，该第一比值是大于或等于0.4并且小于或等于4.5；以及该第二通道层的第二通道宽度与其第二通道长度的比值为第二比值，该第二比值是大于或等于0.05并且小于或等于0.8。

技术领域

本公开是关于一种显示设备，尤指一种包括低温多晶硅薄膜晶体管以及金属氧化物薄膜晶体管的显示设备。

背景技术

随者显示设备的技术进步，显示面板朝向更多功能、更轻薄的方向发展。薄膜显示器，例如液晶显示面板、有机发光二极管(OLED)显示面板、和无机发光二极管显示面板等，已取代阴极射线管而成为主导市场的显示设备。薄膜显示器的应用广泛，多数日常电子产品均使用薄膜显示面板，例如移动电话、笔记本电脑、摄影机、照相机、播音器、移动导航、电视等。

市面上常见液晶显示设备和OLED显示设备，其中LCD显示设备的技术更加成熟，且制造商更加致力于改良显示设备的显示质量，以因应显示设备的技术进展以及消费者需求。

薄膜晶体管(Thin film transistor，TFT)结构可为多晶硅薄膜晶体管，其具有高载子移动率的特征；或可为金属氧化物薄膜晶体管，其具有低漏电流的特征。虽然多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管的部分特征彼此互补，但因为两者制造过程不兼容，使得此类晶体管显示设备制造过程总体而言非常复杂，例如需要多次化学气相沉积，故目前并无结合前述两个类型的晶体管的显示设备。

基于以上理由，有必要改良并且简化薄膜晶体管基板的制备方法，使其同时具有多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管。

发明内容

本公开的目的是提供一种显示设备，其同时具有低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管。

本公开的显示设备包括：一第一基板，具有一显示区和与该显示区相邻的一周边区；一第一晶体管，设置于该显示区之上并且包括一第一通道层，其中该第一通道层包括一氧化物半导体层；以及一第二晶体管，设置于该周边区之上并且包括一第二通道层，其中该第二通道层包括一硅半导体层；其中，该第一通道层的第一通道宽度与该第一通道层的该第一通道长度的比值为第一比值，以及该第二通道层的第二通道宽度与该第二通道层的该第二通道长度的比值为第二比值；其中，该第一比值是大于或等于0.4并且小于或等于4.5，以及该第二比值是大于或等于0.05并且小于或等于0.8。

本公开的显示设备中，包括氧化物半导体层的该第一晶体管是设置于该显示区之上。若第一通道层的第一通道宽度与第一通道长度的第一比值落于上述范围内，可达成较佳分辨率、较佳开口率、亮度一致性、和/或高架构速率。此外，本公开的显示设备中，包括硅半导体层的该第二晶体管是设置于该周边区之上。若第二通道层的第二通道宽度与第二通道长度的第二比值落于上述范围内，可达成较佳充电效率，以及可进一步缩小该周边区。此外，若该第一比值和该第二比值落于前述范围内，该第一晶体管的电性和该第二晶体管的充电能力可更加相容。

其他目的、优势、新颖特征将于下文详述之，并参照图式，以明确表示本公开。

附图说明

图1是本公开实施例1的显示设备的剖面示意图。

图2是本公开实施例1的显示设备的上方视图。

图3是本公开实施例1的发光二极管显示设备的像素的等效电路图。

图4是本公开实施例1的液晶显示设备的像素的等效电路图。

图5是本公开实施例1的第一基板上的第一晶体管的上方视图。