[发明专利]显示设备

权利要求书

1.一种显示设备，其特征在于，包括：

一第一基板，具有一显示区以及与该显示区相邻的一周边区；

一第一晶体管，设置于该显示区之上并且包括一第一通道层，其中该第一通道层包括一氧化物半导体层；以及

一第二晶体管，设置于该周边区之上并且包括一第二通道层，其中该第二通道层包括一硅半导体层；

其中，该第一通道层的第一通道宽度与该第一通道层的第一通道长度的比值为第一比值，该第二通道层的第二通道宽度与该第二通道层的第二通道长度的比值为第二比值；

其中，该第一比值大于或等于0.4并且小于或等于4.5，该第二比值大于或等于0.09并且小于或等于0.45；

其中，该第二晶体管进一步包括一第二源极和一第二漏极，该第二源极和该第二漏极各自通过一接触孔与该第二通道层电性连接，该第二通道宽度是该等接触孔的最大宽度，以及该第二通道长度是该等接触孔间的最小距离；

其中，该第一晶体管进一步包括一第一源极和一第一漏极，该第一源极具有一第一源极宽度，该第一漏极具有一第一漏极宽度；以及该第一通道宽度定义为该第一源极宽度和该第一漏极宽度的平均值。

2.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一比值大于或等于0.75并且小于或等于2.5。

3.如权利要求2所述的显示设备，其特征在于，该第一比值大于或等于1并且小于或等于2.5。

4.如权利要求2所述的显示设备，其特征在于，该第一比值大于或等于0.75并且小于或等于1.5，以及该第二比值大于或等于0.3。

5.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一晶体管进一步包括一第一栅极，该第一栅极包括一第一重迭区，该第一重迭区与该第一通道层重迭；该第二晶体管进一步包括一第二栅极，该第二栅极包括一第二重迭区，该第二重迭区与该第二通道层重迭；以及，该第一重迭区大于该第二重迭区。

6.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一晶体管进一步包括一第一栅极，该第一栅极设置于该第一通道层之下，该第二晶体管进一步包括一第二栅极，该第二栅极设置于该第二通道层之上。

7.如权利要求1所述的显示设备，其特征在于，该第一晶体管进一步包括一第一源极和一第一漏极，并且该第一通道长度为该第一源极和该第一漏极间的最小距离。