[发明专利]具有光阻挡层的发光二极管有效
申请号: | 201711191300.2 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN108110117B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 张锺敏;金彰渊;林栽熙 | 申请(专利权)人: | 首尔伟傲世有限公司 |
主分类号: | H01L33/46 | 分类号: | H01L33/46;H01L33/50 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 孙昌浩;李盛泉 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种具有光阻挡层的发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括:基板;半导体层,配置于所述基板的下部,且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层;以及光阻挡层,为了在基板的上表面限定发光面而覆盖基板的侧面以及上表面。使用光阻挡层可以较容易地调整发光二极管的发光面的大小。 | ||
搜索关键词: | 有光 阻挡 发光二极管 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:基板;半导体层,配置于所述基板的下部,且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层;欧姆反射层,电连接于所述第二导电型半导体层;第一凸块焊盘和第二凸块焊盘,配置于所述欧姆反射层的下部,且分别与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接;侧面反射层,覆盖所述基板的侧面;以及多个波长转换器,彼此相邻地附着于所述基板上,所述多个波长转换器包含彼此不同的荧光体。
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