[发明专利]具有光阻挡层的发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

基板；

半导体叠层，配置于所述基板的下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；

欧姆反射层，电连接于所述第二导电型半导体层；

第一凸块焊盘和第二凸块焊盘，配置于所述欧姆反射层的下部，且分别与所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层电连接；

侧面反射层，包括沿所述基板的上表面边缘覆盖所述基板的上表面并覆盖所述基板的侧面的部分以及部分地覆盖所述基板的上表面的部分，使得暴露所述基板的上表面的区域被划分为至少两个区域而限定具有小于所述基板的上表面的面积的发光面；以及

多个波长转换器，彼此相邻地附着于所述基板上，

所述多个波长转换器中的每一个包含一种荧光体而包含彼此不同的荧光体。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述多个波长转换器包括波长转换片或者陶瓷片荧光体。

3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

位于所述基板的上表面上的侧面反射层位于所述基板的平坦的面上。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，

还包括形成于所述基板的上表面的粗糙面，

所述粗糙面形成于通过所述平坦的面而被分离的区域，

所述多个波长转换器分别配置于所述分离的区域上。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述基板是氮化镓系基板，

从所述活性层至所述基板的上表面的所有层均利用氮化镓系半导体形成，

从所述活性层至所述基板的上表面的距离是50μm以上。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

所述基板包括相对于所述第一导电型半导体层的上表面垂直的侧面以及相对于所述垂直的侧面倾斜的侧面，

所述垂直的侧面比所述倾斜的侧面更靠近所述基板的上表面。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，

所述侧面反射层覆盖所述垂直的侧面以及所述倾斜的侧面。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，包括：台面，其配置于所述第一导电型半导体层的一部分区域的下方，

所述台面包括所述活性层和所述第二导电型半导体层，

所述侧面反射层与所述台面相隔。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，还包括：

下部绝缘层，覆盖所述欧姆反射层，且包括使所述第一导电型半导体层暴露的第一开口部以及使所述欧姆反射层暴露的第二开口部；

第一焊盘金属层，配置于所述下部绝缘层的下方，且通过所述第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；

第二焊盘金属层，配置于所述下部绝缘层的下方，且通过所述第二开口部电连接于所述欧姆反射层；以及

上部绝缘层，覆盖所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层，且包括使所述第一焊盘金属层暴露的第一开口部以及使所述第二焊盘金属层暴露的第二开口部，

所述第一凸块焊盘和第二凸块焊盘配置于所述上部绝缘层的下方，且通过所述上部绝缘层的第一开口部和第二开口部分别连接于所述第一焊盘金属层和所述第二焊盘金属层。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，

所述台面包括通孔，所述通孔贯穿第二导电型半导体层和活性层而使第一导电型半导体层暴露，

所述第一焊盘金属层电连接于通过所述通孔暴露的第一导电型半导体层。

11.根据权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，

所述台面在侧面还包括凹陷部，所述凹陷部使所述第一导电型半导体层暴露，

所述第一焊盘金属层电连接于通过所述凹陷部暴露的第一导电型半导体层。