[发明专利]具有光阻挡层的发光二极管

说明书

本发明提供一种具有光阻挡层的发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括：基板；半导体层，配置于所述基板的下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层和第二导电型半导体层之间的活性层；以及光阻挡层，为了在基板的上表面限定发光面而覆盖基板的侧面以及上表面。使用光阻挡层可以较容易地调整发光二极管的发光面的大小。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，更为具体地涉及一种具有光阻挡层(lightblocking layer)的发光二极管。

背景技术

通常，如氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等Ⅲ族元素的氮化物，其热稳定性出色且具有直接跃迁型(direct transition)的能带(band)结构，因此最近作为可见光线以及紫外线区域的光源用物质备受青睐。尤其是，使用氮化铟镓(InGaN)的蓝色以及绿色发光二极管应用于大型天然色平板显示装置、信号灯、室内照明、高密度光源、相机闪光灯、高清输出系统与光通信等各种应用领域。另外，由于从发光二极管射出的光的直进性出色，因此最近广泛应用于汽车用头灯(head lamp)。

发光二极管需要根据应用领域来调整指向角。尤其是，对应用于汽车用头灯或者闪光灯的发光二极管而言，其指向角越窄越有利。尤其是，如点照明(Spot Light)具有较窄的指向特性的照明装置需要指向角较窄的发光元件。尤其是，为了使指向角变窄需要缩小发光二极管的大小。但是，通常，在相同的电流密度条件下，芯片尺寸的缩小会导致光功率减少。因此，为了使用较小的发光二极管芯片实现较高的光功率(optical power)，应该增加电流密度，但在较高的电流密度下，由于众所周知的下垂(droop)现象，发光效率会降低。

另一方面，为了体现如白色光等混色光而将荧光体与发光二极管芯片一起使用。通常，荧光体混合于硅树脂(silicone)或者环氧树脂(epoxy)等透明树脂而使用，但树脂具有对热量较弱的缺点。

另外，为了提高显色性(color rendering)以及色彩再现性(Color ReproductionCharacteristics)使用两种以上的荧光体而非单一的荧光体，但很难均匀地混合这些荧光体。据此，在应用荧光体的发光二极管之间较容易出现色差。尤其是，在一种荧光体进行波长转换的光可能会被另一种荧光体吸收或者干涉，因此光的转换效率较低，很难提高显色性。

发明内容

本发明所要解决的课题是提供一种在不降低发光效率的情况下具有高功率性能并具有较小的发光面的发光二极管。

本发明所要解决的又一课题是提供一种能够维持发光二极管的高功率性能并能够较容易调整发光面的大小的技术。

本发明所要解决的又一课题是提供一种适合于在高温环境下使用的混色光发光二极管。

本发明所要解决的又一课题是提供一种能够缩小发光二极管之间的色差的发光二极管。

本发明所要解决的又一课题是提供一种能够提高光转换效率且改善显色性的发光二极管。

根据本发明的一实施例的发光二极管包括：基板；半导体层，配置于所述基板的下部，且包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及夹设于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的活性层；以及光阻挡层，为了在所述基板的上表面限定发光面而覆盖所述基板的侧面以及上表面。

通过使用光阻挡层限定发光面，从而可以提供一种在不缩小发光面的大小的情况下能够实现较小的点波束(spot beam)的发光二极管。据此，在不增加发光二极管的电流密度的情况下也能够实现高功率，因此能够防止发光效率的降低。另外，使用光阻挡层控制发光面，因此在不调整发光二极管的整体大小的情况下也能够较容易调整发光面的大小。

另一方面，所述发光面限定于所述基板的上表面，因此具有比所述基板的上表面窄的面积。所述发光面可以具有各种形状，例如，可以具有圆形、椭圆形或者多边形形状。