[发明专利]集成电路器件及制造其的方法有效
| 申请号： | 201711191152.4 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108242425B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 李正韩;李善佶;姜明一;李正允;李承勋;李炫姃;金善昱 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路(IC)器件包括分别从衬底的第一区域和第二区域凸出的第一鳍型有源区和第二鳍型有源区、第一栅线和第二栅线、以及第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。第一鳍型有源区具有第一顶表面，第一凹陷具有从第一顶表面起的第一深度。第一源极/漏极区填充第一凹陷并具有第一宽度。第二鳍型有源区具有第二顶表面，第二凹陷具有从第二顶表面起的第二深度。第二深度大于第一深度。第二源极/漏极区填充第二凹陷并具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：衬底，其包括第一区域和第二区域；第一鳍型有源区，其在所述第一区域中从所述衬底凸出，所述第一鳍型有源区具有第一顶表面，所述第一鳍型有源区包括具有从所述第一顶表面起的第一深度的第一凹陷；第一源极/漏极区，其填充所述第一凹陷，所述第一源极/漏极区具有第一宽度；第一栅线，其覆盖所述第一顶表面，所述第一栅线在交叉所述第一鳍型有源区的方向上延伸；第二鳍型有源区，其在所述第二区域中从所述衬底凸出，所述第二鳍型有源区具有第二顶表面，所述第二鳍型有源区包括具有从所述第二顶表面起的第二深度的第二凹陷，所述第二深度大于所述第一深度；第二源极/漏极区，其填充所述第二凹陷，所述第二源极/漏极区具有第二宽度，所述第二宽度大于所述第一宽度；以及第二栅线，其覆盖所述第二顶表面，所述第二栅线在交叉所述第二鳍型有源区的方向上延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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