[发明专利]集成电路器件及制造其的方法

说明书

一种集成电路(IC)器件包括分别从衬底的第一区域和第二区域凸出的第一鳍型有源区和第二鳍型有源区、第一栅线和第二栅线、以及第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。第一鳍型有源区具有第一顶表面，第一凹陷具有从第一顶表面起的第一深度。第一源极/漏极区填充第一凹陷并具有第一宽度。第二鳍型有源区具有第二顶表面，第二凹陷具有从第二顶表面起的第二深度。第二深度大于第一深度。第二源极/漏极区填充第二凹陷并具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。

技术领域

发明构思涉及集成电路(IC)器件及制造其的方法，更具体地，涉及包括场效应晶体管(FET)的IC器件及制造其的方法。

背景技术

由于电子技术的发展，IC器件近来已被快速地按比例缩小。因为半导体器件不仅会需要高的操作速度，而且会需要操作的精度，所以已经对优化半导体器件中包括的晶体管的结构的方法进行了各种各样的研究。

发明内容

发明构思涉及集成电路(IC)器件，其被配置为根据形成在相同衬底上的器件的种类和结构而确保被不同地需要的电特性，纵使器件区域的面积随着IC器件的按比例缩小而减小。

发明构思还涉及制造IC器件的方法，通过该方法，具有有效结构的IC器件可以根据单元器件的种类被容易地制造，使得可以根据形成在相同衬底上的器件的种类的结构而确保被不同地需要的电特性，纵使器件区域的面积随着IC器件的按比例缩小而减小。

根据发明构思的一些示例实施方式，一种IC器件包括含第一区域和第二区域的衬底。第一鳍型有源区在第一区域中从衬底凸出。第一鳍型有源区具有第一顶表面以及具有从第一顶表面起的第一深度的第一凹陷。第一源极/漏极区填充第一凹陷并具有第一宽度。第一栅线覆盖第一顶表面。第一栅线在交叉第一鳍型有源区的方向上延伸。第二鳍型有源区在第二区域中从衬底凸出。第二鳍型有源区具有第二顶表面以及具有从第二顶表面起的第二深度的第二凹陷。第二深度大于第一深度。第二源极/漏极区填充第二凹陷并具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。第二栅线覆盖第二顶表面。第二栅线在交叉第二鳍型有源区的方向上延伸。

根据发明构思的一些示例实施方式，包括衬底的IC器件。衬底包括第一区域和第二区域。多个第一鳍型有源区在第一区域中从衬底凸出。所述多个第一鳍型有源区彼此平行延伸。所述多个第一鳍型有源区的每个包括第一顶表面以及具有从第一顶表面起的第一深度的第一凹陷。第一源极/漏极区填充所述多个第一鳍型有源区当中的一个第一鳍型有源区的第一凹陷。第一源极/漏极区具有第一宽度。多个第二鳍型有源区在第二区域中从衬底凸出。所述多个第二鳍型有源区彼此平行延伸。所述多个第二鳍型有源区的每个包括第二顶表面以及具有从第二顶表面起的第二深度的第二凹陷。第二深度大于第一深度。第二源极/漏极区分别填充所述多个第二鳍型有源区的第二凹陷。第二源极/漏极区包括多个源极/漏极分支部分和源极/漏极合并部分。源极/漏极合并部分连接到所述多个源极/漏极分支部分。源极/漏极合并部分交叉所述多个第二鳍型有源区在所述多个第二鳍型有源区之上延伸。第二源极/漏极区具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。

根据发明构思的一些示例实施方式，一种制造IC器件的方法包括在衬底的第一区域中形成第一鳍型有源区以及在衬底的第二区域中形成第二鳍型有源区、在衬底上形成间隔物层、在第一鳍型有源区中形成第一凹陷、形成第一源极/漏极区以填充第一凹陷、在第二鳍型有源区中形成第二凹陷、以及形成第二源极/漏极区以填充第二凹陷。间隔物层覆盖第一鳍型有源区和第二鳍型有源区。第一凹陷具有第一深度被形成在第一鳍型有源区中。形成第一凹陷包括在衬底的第二区域用第一掩模图案覆盖的同时在衬底的第一区域中蚀刻间隔物层。第一源极/漏极区具有第一宽度。第二凹陷具有第二深度。形成第二凹陷包括在衬底的第一区域用第二掩模图案覆盖的同时在衬底的第二区域中蚀刻间隔物层。第二深度大于第一深度。第二源极/漏极区具有第二宽度。第二宽度大于第一宽度。