[发明专利]集成电路器件及制造其的方法有效
| 申请号: | 201711191152.4 | 申请日: | 2017-11-24 |
| 公开(公告)号: | CN108242425B | 公开(公告)日: | 2022-05-10 |
| 发明(设计)人: | 李正韩;李善佶;姜明一;李正允;李承勋;李炫姃;金善昱 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/8234 | 分类号: | H01L21/8234 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 翟然 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 集成电路 器件 制造 方法 | ||
1.一种集成电路器件,包括:
衬底,其包括第一区域和第二区域;
在所述第一区域中从所述衬底凸出的多个第一鳍型有源区,所述多个第一鳍型有源区彼此平行延伸,所述多个第一鳍型有源区的每个包括第一顶表面和具有从所述第一顶表面起的第一深度的第一凹陷;
第一源极/漏极区,其填充所述多个第一鳍型有源区当中的一个第一鳍型有源区的所述第一凹陷,所述第一源极/漏极区具有第一宽度;
在所述第二区域中从所述衬底凸出的多个第二鳍型有源区,所述多个第二鳍型有源区彼此平行延伸,所述多个第二鳍型有源区的每个包括第二顶表面和具有从所述第二顶表面起的第二深度的第二凹陷,所述第二深度大于所述第一深度;以及
第二源极/漏极区,其分别填充所述多个第二鳍型有源区的所述第二凹陷,
所述第二源极/漏极区包括多个源极/漏极分支部分和连接到所述多个源极/漏极分支部分的源极/漏极合并部分,
所述源极/漏极合并部分在所述多个第二鳍型有源区之上交叉所述多个第二鳍型有源区延伸,
所述第二源极/漏极区具有第二宽度,
所述第二宽度大于所述第一宽度,
第一器件隔离膜,其覆盖所述一个第一鳍型有源区的两个下侧壁;
第二器件隔离膜,其覆盖所述多个第二鳍型有源区的每个的两个下侧壁;
第一鳍绝缘间隔物,其在所述第一器件隔离膜之上覆盖所述第一源极/漏极区;以及
至少一个第二鳍绝缘间隔物,其在所述第二器件隔离膜之上覆盖所述第二源极/漏极区,
其中所述至少一个第二鳍绝缘间隔物与所述多个第二鳍型有源区间隔开,
其中所述第一鳍绝缘间隔物具有第一垂直长度;以及
所述至少一个第二鳍绝缘间隔物具有第二垂直长度,所述第二垂直长度小于所述第一垂直长度,
其中所述第一鳍绝缘间隔物的顶部在不高于所述一个第一鳍型有源区与所述第一源极/漏极区之间的界面的水平的水平处,以及
所述至少一个第二鳍绝缘间隔物凸出到比所述多个第二鳍型有源区与所述第二源极/漏极区之间的界面更高的水平。
2.根据权利要求1所述的集成电路器件,其中所述多个第二鳍型有源区与所述第二源极/漏极区之间的界面在比所述一个第一鳍型有源区与所述第一源极/漏极区之间的界面更低的水平处。
3.根据权利要求1所述的集成电路器件,其中
所述至少一个第二鳍绝缘间隔物包括两个第二鳍绝缘间隔物,
所述两个第二鳍绝缘间隔物在所述多个第二鳍型有源区中的两个相邻第二鳍型有源区之间,以及
所述两个第二鳍绝缘间隔物的每个仅与所述多个源极/漏极分支部分中的一个接触。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件,其中
所述至少一个第二鳍绝缘间隔物包括一个第二鳍绝缘间隔物,以及
所述一个第二鳍绝缘间隔物在所述多个第二鳍型有源区中的两个相邻第二鳍型有源区之间与所述多个源极/漏极分支部分中的两个相邻源极/漏极分支部分接触地延伸。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件,其中所述多个第一鳍型有源区和所述多个第二鳍型有源区具有相同的宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





