[发明专利]一种PVT法生长大尺寸半绝缘碳化硅单晶的生长方法在审
| 申请号： | 201711189841.1 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107904657A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 左洪波;杨鑫宏;李铁;阎哲华 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨奥瑞德光电技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种PVT法生长大尺寸半绝缘碳化硅单晶的生长方法，它主要包括以下控制阶段SiC粉末制备、装炉抽真空、排除杂质气体、快速升温加压、降压恒温、晶体生长、收尾阶段和退火。采用PVT法生长碳化硅单晶，首先对原料进行预处理，提高了原料的纯度和密度，减少了晶体中可能出现的缺陷，将SiC粉末装炉，抽真空后通过控制温度在1300~1400℃范围内一段时间以排除杂质气体，充入高纯氩气后快速升温至2100~2400℃。当温度恒定在某一值后，在保持温度平稳的情况下逐渐降低气压，此时粉源开始升华至籽晶处开始生长，晶体生长到一定程度进行收尾阶段，充入氩气停止加热结束SiC晶体的生长，最后经过退火完成晶体生长。本发明能降低晶体中的缺陷和杂质浓度得到大尺寸半绝缘4H‑SiC单晶。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 pvt 生长 尺寸 绝缘 碳化硅 方法 | ||
【主权项】：
一种PVT法生长大尺寸半绝缘碳化硅单晶的生长方法，其特征在于它包括如下步骤：SiC粉末制备、装炉抽真空、排除杂质气体、快速升温加压、降压恒温、晶体生长、收尾阶段和退火，首先对原料进行预处理，装炉抽真空后通过控制温度在1300~1400℃范围内一段时间以排除杂质气体，充入高纯氩气后快速升温至2100~2400℃；当温度恒定后在保持温度平稳的情况下逐渐降低气压，此时粉源开始升华至籽晶处开始生长，晶体生长到一定程度进行收尾阶段，充入氩气停止加热结束SiC晶体的生长，最后经过退火完成晶体生长。
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