[发明专利]包括富硅氮化硅隔离介质层的3D NAND导线孔的制备方法

摘要

提供了一种3D NAND导线孔的制备方法，该导线孔形成在串选择区，且该导线孔中填充了钨金属以实现导线连接，在预清洁步骤之前在该导线孔中沉积一富硅氮化硅层以作为隔离介质层。上述制备方法中，利用富硅氮化硅层沉积工艺代替了传统的氮化硅沉积，从而减轻了由于NH3的分解或反应所导致的导线孔中隔离介质层上下不均匀的问题，由此避免了由于隔离介质层分布不均所导致的刻蚀问题，提高了工艺的稳定性和可靠性。

主权项

一种3D NAND导线孔的制备方法，包括如下步骤：S1：在串选择区形成导线孔；S2：在该导线孔中实施一富硅氮化硅沉积工艺以沉积一富硅氮化硅层；S3：对所述导线孔实施预清洁处理；S4：去除导线孔底部的所述富硅氮化硅层；S5：向导线孔中填充钨金属以实现导线连接。