[发明专利]包括富硅氮化硅隔离介质层的3D NAND导线孔的制备方法

权利要求书

1.一种3D NAND导线孔的制备方法，包括如下步骤：

S1：在串选择区形成导线孔；

S2：在该导线孔中实施一富硅氮化硅沉积工艺以沉积一富硅氮化硅层；

S3：对所述导线孔实施预清洁处理；

S4：去除导线孔底部的所述富硅氮化硅层；

S5：向导线孔中填充钨金属以实现导线连接。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述富硅氮化硅沉积工艺具体包括：利用NH₃和SiH₂Cl₂混合气体或者利用NH₃和SiH₄混合气体制备所述富硅氮化硅层，其中所述NH₃的流量为30-100sccm，而所述SiH₂Cl₂或SiH₄的流量为100-700sccm。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述富硅氮化硅层的沉积温度为600-800℃。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，进一步地，上述预清洁步骤包括酸洗处理。

5.一种3D NAND导线孔，其特征在于该导线孔中的隔离介质层为一富硅氮化硅层，所述导线孔利用权利要求1-4任一所述的方法制备。