[发明专利]有源图案结构及包括其的半导体器件

摘要

本公开涉及有源图案结构及包括其的半导体器件。一种有源图案结构可以包括含有源图案阵列的衬底，有源图案阵列由包括第一沟槽至第三沟槽的多个沟槽、以及分别在第一沟槽至第三沟槽中的第一隔离图案至第三隔离图案限定。有源图案阵列可以包括在第一方向上延伸的多个第一有源图案和多个第二有源图案，第一沟槽至第三沟槽可以在第一有源图案与第二有源图案之间并且可以包括彼此不同的宽度。有源图案阵列可以包括有源图案组，其包括顺序地布置在基本上垂直于第一方向的第二方向上的所述多个第一有源图案中的第一有源图案和所述多个第二有源图案中的第二有源图案。所述多个第一有源图案和所述多个第二有源图案的每个可以具有微小的宽度。

主权项

1.一种半导体器件的有源图案结构，包括：衬底，其包括由所述衬底中的多个沟槽限定的有源图案阵列，所述有源图案阵列包括多个第一有源图案和多个第二有源图案，所述多个第一有源图案和所述多个第二有源图案的每个在第一方向上延伸，所述有源图案阵列包括有源图案组，所述有源图案组包括顺序地布置在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上的所述多个第一有源图案中的第一有源图案和所述多个第二有源图案中的第二有源图案，所述多个沟槽包括在所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽至所述第三沟槽的宽度彼此不同；以及分别在所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽中的第一隔离图案、第二隔离图案和第三隔离图案。