[发明专利]有源图案结构及包括其的半导体器件

说明书

本公开涉及有源图案结构及包括其的半导体器件。一种有源图案结构可以包括含有源图案阵列的衬底，有源图案阵列由包括第一沟槽至第三沟槽的多个沟槽、以及分别在第一沟槽至第三沟槽中的第一隔离图案至第三隔离图案限定。有源图案阵列可以包括在第一方向上延伸的多个第一有源图案和多个第二有源图案，第一沟槽至第三沟槽可以在第一有源图案与第二有源图案之间并且可以包括彼此不同的宽度。有源图案阵列可以包括有源图案组，其包括顺序地布置在基本上垂直于第一方向的第二方向上的所述多个第一有源图案中的第一有源图案和所述多个第二有源图案中的第二有源图案。所述多个第一有源图案和所述多个第二有源图案的每个可以具有微小的宽度。

技术领域

本公开涉及有源图案结构以及包括该有源图案结构的半导体器件。

背景技术

为了制造高度集成的半导体器件，彼此间隔开微小距离的具有微小临界尺寸的有源图案可以被形成。

发明内容

一些示例实施方式涉及包括彼此间隔开微小距离的具有微小临界尺寸的有源图案的有源图案结构。

一些示例实施方式提供了包括有源图案结构的半导体器件。

根据一些示例实施方式，一种有源图案结构包括衬底，其包括由衬底中的多个沟槽限定的有源图案阵列。有源图案阵列可以包括每个在第一方向上延伸的多个第一有源图案和多个第二有源图案。有源图案阵列可以包括有源图案组。有源图案组可以包括顺序地布置在基本上垂直于第一方向的第二方向上的所述多个第一有源图案中的第一有源图案和所述多个第二有源图案中的第二有源图案。所述多个沟槽可以包括在第一有源图案与第二有源图案之间的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽。第一沟槽至第三沟槽的宽度可以彼此不同。第一隔离图案、第二隔离图案和第三隔离图案可以分别在第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽中。

根据一些示例实施方式，一种半导体器件可以包括衬底，其包括由衬底中的多个沟槽限定的有源图案阵列。有源图案阵列可以包括在第一方向上延伸的多个第一有源图案和多个第二有源图案。所述多个沟槽可以包括设置在第一有源图案与第二有源图案之间的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽。第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽的宽度可以彼此不同。第一沟槽可以设置在所述多个第一有源图案当中的相邻的第一有源图案之间。第二沟槽可以设置在所述多个第二有源图案中的两个与所述相邻的第一有源图案之间。第三沟槽可以设置在所述多个第二有源图案当中的两个相邻的第二有源图案之间。第一隔离图案、第二隔离图案和第三隔离图案可以分别在第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽中。晶体管可以在有源图案阵列以及第一隔离图案、第二隔离图案和第三隔离图案上。

根据示例实施方式，一种半导体器件的有源图案结构可以包括衬底，其包括由衬底中的多个沟槽限定的多个第一有源图案和多个第二有源图案。所述多个沟槽可以包括在第一方向上延伸的多个第一沟槽、多个第二沟槽和多个第三沟槽。所述多个第二沟槽的深度可以大于所述多个第一沟槽的深度并小于所述多个第三沟槽的深度。所述多个第一有源图案和所述多个第二有源图案可以在第一方向上延伸并且可以被组成多个有源图案组。所述多个有源图案组当中的至少一个有源图案组可以在所述多个第三沟槽中的一对第三沟槽之间。所述多个有源图案组当中的所述至少一个有源图案组可以包括在一对第二有源图案之间且可由所述多个第二沟槽中的一对与所述对第二有源图案隔开的一对第一有源图案。所述对第一有源图案可以由所述多个第一沟槽中的一个在第二方向上彼此间隔开。

根据一些示例实施方式，有源图案结构可以包括具有微小临界尺寸以及其间的微小空间的有源图案。因此，形成在有源图案结构上的半导体器件可以具有高集成度。

附图说明

发明构思将由以下结合附图的详细描述被更清楚地理解。图1A、1B和2至32表示如在此所述的非限制性的示例实施方式。

图1A和1B分别是示出根据一些示例实施方式的有源图案结构的剖视图和俯视图；

图2至9是示出根据一些示例实施方式形成有源图案结构的方法的操作的剖视图；