[发明专利]有源图案结构及包括其的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的有源图案结构，包括：

衬底，其包括由所述衬底中的多个沟槽限定的有源图案阵列，

所述有源图案阵列包括多个第一有源图案和多个第二有源图案，所述多个第一有源图案和所述多个第二有源图案的每个在第一方向上延伸，

所述有源图案阵列包括有源图案组，所述有源图案组包括顺序地布置在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上的所述多个第一有源图案中的第一有源图案和所述多个第二有源图案中的第二有源图案，

所述多个沟槽包括在所述第一有源图案与所述第二有源图案之间的第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽，所述第一沟槽至所述第三沟槽的宽度彼此不同并且所述第一沟槽至所述第三沟槽的深度彼此不同；以及

通过分别填充所述第一沟槽、所述第二沟槽和所述第三沟槽形成的第一隔离图案、第二隔离图案和第三隔离图案。

2.根据权利要求1所述的有源图案结构，其中

所述有源图案阵列包括布置在所述第二方向上的多个有源图案组，以及

所述多个有源图案组包括所述有源图案组。

3.根据权利要求2所述的有源图案结构，其中

每个有源图案组包括所述多个第一有源图案中的两个和所述多个第二有源图案中的两个，

所述多个有源图案组当中的每个相对应的有源图案组中包括的所述多个第一有源图案中的所述两个和所述多个第二有源图案中的所述两个关于所述相对应的有源图案组的所述多个第一有源图案中的所述两个之间的空间对称。

4.根据权利要求1所述的有源图案结构，其中所述第一隔离图案、所述第二隔离图案和所述第三隔离图案包括彼此不同的深度。

5.根据权利要求1所述的有源图案结构，其中

所述第一沟槽在所述多个第一有源图案当中的两个相邻的第一有源图案之间，

所述第二沟槽在所述多个第一有源图案中的一个与所述多个第二有源图案中的与所述多个第一有源图案中的所述一个相邻的一个之间，以及

所述第三沟槽设置在所述多个第二有源图案当中的两个相邻的第二有源图案之间。

6.根据权利要求5所述的有源图案结构，其中

所述多个沟槽包括分别包括所述第二沟槽和所述第三沟槽的两个第二沟槽和两个第三沟槽，

所述第一沟槽在所述两个第二沟槽之间且在所述两个第三沟槽之间，使得所述第一沟槽的彼此相对的侧壁分别与所述两个第二沟槽在所述第二方向上间隔开且与所述两个第三沟槽在所述第二方向上间隔开，以及

所述两个第二沟槽在所述第二方向上在所述第一沟槽与所述两个第三沟槽之间。

7.根据权利要求5所述的有源图案结构，其中

所述第一沟槽具有第一宽度，

所述第二沟槽具有大于所述第一宽度的第二宽度，以及

所述第三沟槽具有大于所述第二宽度的第三宽度。

8.根据权利要求5所述的有源图案结构，其中

所述第一沟槽具有第一深度，

所述第二沟槽具有大于所述第一深度的第二深度，以及

所述第三沟槽具有大于所述第二深度的第三深度。

9.根据权利要求1所述的有源图案结构，其中

所述第一有源图案包括在垂直方向上具有彼此不同的长度的相对侧壁，以及

所述第二有源图案包括在所述垂直方向上具有彼此不同的长度的相对侧壁。

10.根据权利要求1所述的有源图案结构，其中所述多个第一有源图案和所述多个第二有源图案的临界尺寸基本相等。