[发明专利]一种3DNAND闪存字线连接结构的制备方法在审
| 申请号： | 201711167864.2 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107978556A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 陈子琪;盖晨光;陈保友 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种3D NAND闪存字线连接结构的制备方法，所述制备方法包括如下步骤提供一个具有台阶金属栅层的衬底堆叠结构；在所述衬底堆叠结构上沉积刻蚀掩膜层；通过光刻工艺和刻蚀工艺，在所述掩膜层上形成与所述台阶金属栅层一一对应的刻蚀掩膜开孔，所述开孔的直径大小不等，从对应最上层的金属栅层到对应最靠近衬底的金属栅层的开孔直径依次增大；一次竖直向下刻蚀，形成介质通孔，露出各台阶金属栅层；在所述介质通孔中填充金属，形成金属字线连接结构。本发明制备方法能保证一次刻蚀时各介质通孔的刻蚀深度能够同步抵达相对应的各金属栅层；从而能够简化工艺，节省成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 dnand 闪存 连接 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种3D NAND闪存字线连接结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：提供一个具有台阶金属栅层的衬底堆叠结构；在所述衬底堆叠结构上沉积刻蚀掩膜层；通过光刻工艺和刻蚀工艺，在所述掩膜层上形成与所述台阶金属栅层一一对应的刻蚀掩膜开孔，所述开孔的直径大小不等，从对应最上层的金属栅层到对应最靠近衬底的金属栅层的开孔直径依次增大；一次竖直向下刻蚀，形成介质通孔，露出各台阶金属栅层；在所述介质通孔中填充金属，形成金属字线连接结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
