[发明专利]半导体器件中的触点在审
| 申请号： | 201711165536.9 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN108231564A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 堀口直人;A·希卡维;S·德姆恩克 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/78;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云;蔡悦 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 比利时;BE |
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| 摘要： | 一种用于制造与半导体器件的源极或漏极区的触点(900)的方法，包括：a.提供具有至少一个源极或漏极区的所述半导体器件，所述源极或漏极区具有暴露区域，b.部分蚀刻所述源极或漏极区使得所述暴露区域增大，以及c.提供至少覆盖所述源极或漏极区的经蚀刻部分(810；820；830)的触点(900)；其中所述触点(900)在所述源极或漏极区的至少3侧上与所述源极或漏极区接触。 | ||
| 搜索关键词： | 源极 漏极区 触点 半导体器件 蚀刻 暴露区域 漏极区接触 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造与半导体器件的源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)的触点(900)的方法，包括：a.提供具有至少一个源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)的所述半导体器件，所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)具有暴露区域，b.部分蚀刻所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)使得所述暴露区域增大，以及c.提供至少覆盖所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)的经蚀刻部分的触点(900)；其中所述触点(900)在所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)的至少3侧上与所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
