[发明专利]半导体器件中的触点

权利要求书

1.一种用于制造与半导体器件的源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)的触点(900)的方法，包括：

a.提供具有至少一个源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)的所述半导体器件，所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)具有暴露区域，

b.部分蚀刻所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)使得所述暴露区域增大，以及c.提供至少覆盖所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)的经蚀刻部分的触点(900)；

其中所述触点(900)在所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)的至少3侧上与所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)接触。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件是鳍式场效应晶体管或纳米线场效应晶体管。

3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，部分蚀刻所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)的步骤b包括凹陷所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)的顶面或侧面的部分。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤b在所述顶面中形成V形沟槽(810)。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)包括Si或SiGe。

6.如权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述V形沟槽(810)由所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)的具有米勒指数(111)的至少一个，优选地至少两个平面来限定。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)包括SiGe且步骤b是通过使用HC1来被执行的，或者所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)包括Si并且步骤b是通过使用四甲基氢氧化铵来被执行的。

8.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)包括在第二材料(741；742)的层的顶部的第一材料(731；732)的层，并且其中凹陷所述侧面的部分(820；830)包括相对于所述第一材料选择性地仅蚀刻掉所述第二材料的部分。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，凹陷所述侧面的部分包括选择性地蚀刻掉整层的第二材料，由此在所述侧面中形成间隔。

10.如权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)包括与所述第二材料的各层交替的所述第一材料的各层。

11.如权利要求8到10中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一材料是Si或SiGe。

12.如权利要求8到11中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二材料选自SiGe和Si，条件是所述第二材料不同于所述第一材料。

13.如前述权利要求任一项所述的方法，其特征在于，所述源极或漏极区(710；720；731、741；732、742)被掺杂。