[发明专利]一种高集成度的功率MOSFET逆变模块在审
| 申请号： | 201711160732.7 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107946272A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 车湖深;李彦莹;于今 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L23/498;H02M7/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明一种高集成度的功率MOSFET逆变模块，应用于小功率逆变领域，其特征在于，所述逆变模块包括陶瓷覆铜板和MOSFET芯片，所述陶瓷覆铜板与所述MOSFET芯片通过金属丝相连接，所述陶瓷覆铜板连接有若干金属端子，所述陶瓷覆铜板、所述MOSFET芯片和所述金属端子使用封装材料进行灌封；有益效果采用集成MOSFET模块提高设计可提高产品的集成度，使定位安装更加便捷；使芯片排列更致密，减少了占用面积；通过内部电路设计，减少了引出端子数量，使电路更加简洁；采用陶瓷覆铜板作为导热材料，提高了产品的蓄热能力，使工作时温度上升曲线更平滑，提高产品稳定性；模块内部采用陶瓷作为绝缘层，使产品成为绝缘型产品，杜绝了分立器件产品不绝缘引起的安全风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成度 功率 mosfet 模块 | ||
【主权项】：
一种高集成度的功率MOSFET逆变模块，应用于小功率逆变领域，其特征在于，所述逆变模块包括陶瓷覆铜板和MOSFET芯片，所述陶瓷覆铜板与所述MOSFET芯片通过金属丝相连接，所述陶瓷覆铜板连接有若干金属端子，所述陶瓷覆铜板、所述MOSFET芯片和所述金属端子使用封装材料进行灌封。
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