[发明专利]一种高集成度的功率MOSFET逆变模块在审
| 申请号： | 201711160732.7 | 申请日： | 2017-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN107946272A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 车湖深;李彦莹;于今 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L23/498;H02M7/00 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 401331 *** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 集成度 功率 mosfet 模块 | ||
【权利要求书】：
1.一种高集成度的功率MOSFET逆变模块，应用于小功率逆变领域，其特征在于，所述逆变模块包括陶瓷覆铜板和MOSFET芯片，所述陶瓷覆铜板与所述MOSFET芯片通过金属丝相连接，所述陶瓷覆铜板连接有若干金属端子，所述陶瓷覆铜板、所述MOSFET芯片和所述金属端子使用封装材料进行灌封。
2.如权利要求1所述逆变模块，其特征在于，所述陶瓷覆铜板包括：
第一铜层，固定于所述逆变模块底部；
陶瓷层，设置于所述第一铜层上方；
第二铜层，设置于所述陶瓷层上方。
3.如权利要求2所述逆变模块，其特征在于，所述第二铜层上设置有电路衬底。
4.如权利要求2所述逆变模块，其特征在于，所述陶瓷覆铜板采用高温烧结的方法组装。
5.如权利要求1所述逆变模块，其特征在于，所述封装材料为塑料。
6.如权利要求1所述逆变模块，其特征在于，所述金属丝为铝丝。
7.如权利要求6所述逆变模块，其特征在于，所述金属丝通过超声键合技术进行连接。
8.如权利要求3所述逆变模块，其特征在于，所述逆变模块的电路功能由所述第二铜层上的所述电路衬底、所述MOSFET芯片的位置和所述金属丝走线实现。
9.如权利要求1所述逆变模块，其特征在于，所述金属端子数量为15。
10.如权利要求1所述逆变模块，其特征在于，所述灌封时预留2个定位孔。
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