[发明专利]一种异质结及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711158999.2 申请日: 2016-01-28
公开(公告)号: CN107946455B 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 李强;李山东;徐洁;赵国霞 申请(专利权)人: 青岛大学
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;H01L43/12
代理公司: 北京中索知识产权代理有限公司 11640 代理人: 宋涛
地址: 266071 山*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明实施例公开了一种异质结,包括n型掺杂Si层和CoFe2O4‑w层,以及在所述n型掺杂Si层和CoFe2O4‑w层之间夹设的SiO2‑v层;所述CoFe2O4‑w层上还引出有第二电极;其中,0.1v0.5,0.1w0.5。本发明实施例提供的异质结中,通过调节氧离子的运动,便可在异质结中同时实现电致电阻效应与磁电阻效应,在电场和磁场的调控下,异质结可处于多重电阻状态,从而进一步增加异质结在多态存储以及模拟神经网络等诸多领域的发展前景。
搜索关键词: 一种 异质结 及其 制备 方法
【主权项】:
一种异质结,其特征在于,包括n型掺杂Si层和CoFe2O4‑w层,以及在所述n型掺杂Si层和CoFe2O4‑w层之间夹设的SiO2‑v层;所述CoFe2O4‑w层上还引出有第二电极(4);其中,0.1<v<0.5,0.1<w<0.5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于青岛大学,未经青岛大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711158999.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top