[发明专利]一种异质结及其制备方法

权利要求书

1.一种异质结，其特征在于，包括n型掺杂Si层和CoFe₂O_4-w层，以及在所述n型掺杂Si层和CoFe₂O_4-w层之间夹设的SiO_2-v层，其中，氧离子可在所述SiO_2-v层和CoFe₂O_4-w层之间自由移动；

所述CoFe₂O_4-w层上还引出有第二电极(4)；

其中，0.1v0.5，0.1w0.5。

2.根据权利要求1所述的异质结，其特征在于，所述CoFe₂O_4-w层在所述n型掺杂Si层所在的平面内的投影位于所述n型掺杂Si层之内。

3.根据权利要求1所述的异质结，其特征在于，所述第二电极为In电极。

4.根据权利要求2所述的异质结，其特征在于，还包括绝缘体，所述绝缘体包覆所述SiO_2-v层和所述CoFe₂O_4-w层的全部外表面以及所述n型掺杂Si层和所述第二电极(4)的部分外表面。

5.根据权利要求4所述的异质结，其特征在于，所述绝缘体(5)为HfO绝缘体，且所述绝缘体(5)的厚度为10-16nm。

6.根据权利要求1所述的异质结，其特征在于，所述CoFe₂O_4-w层的厚度为6-10nm。

7.根据权利要求1所述的异质结，其特征在于，所述SiO_2-v的厚度为2-4nm。

8.一种异质结的制备方法，其特征在于，包括：

步骤S100：在Si层覆盖设置有第一开口的第一金属掩膜板；

步骤S200：利用脉冲激光沉积设备，在覆盖有所述第一金属掩膜板的第一电极层上沉积CoFe₂O₄，形成第二势垒层CoFe₂O_4-w层，0.1w0.5，并在所述第一电极层和所述第二势垒层的接触面之间生成第一势垒层SiO_2-v层，0.1v0.5，其中沉积氛围为纯度高于99.99％的氧气，沉积压强在1.4-1.8Pa的范围内，沉积能量为300mJ，沉积时长为12-16分钟；

步骤S300：在所述第二势垒层上引出第二电极。

9.根据权利要求8所述的异质结的制备方法，其特征在于，在步骤S200之后还包括：

步骤S201：在所述第二势垒层上覆盖设置有第二开口的第二金属掩膜板，其中所述第二开口的内部设置有覆盖部，且所述覆盖部在所述第一电极层上的投影在所述第一开口的投影内，所述第一开口在所述第一电极层上的投影在所述第二开口的投影内；

步骤S202：利用脉冲激光设备，在真空度高于6×10^-5Pa的真空氛围中，控制沉积能量为200mJ的条件下，在覆盖有所述第二金属掩膜板的所述第二势垒层上沉积绝缘体HfO，沉积20-32分钟，形成HfO绝缘体。

10.根据权利要求8所述的异质结的制备方法，其特征在于，所述CoFe₂O₄层的厚度为6-10nm，SiO_2-v的厚度为2-4nm。