[发明专利]一种电容分段结构逐次逼近型模数转换器有效

专利信息
申请号: 201711155620.2 申请日: 2017-11-20
公开(公告)号: CN108155909B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 周泱 申请(专利权)人: 灿芯创智微电子技术(北京)有限公司
主分类号: H03M1/14 分类号: H03M1/14
代理公司: 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 代理人: 田明;屈献庄
地址: 100176 北京市大兴区北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于集成电路设计领域,具体涉及一种电容分段结构逐次逼近型模数转换器,包括连接在比较器的输入端上的数模转换器,数模转换器包括常规电容结构的高位电容阵列和低位电容阵列,高位电容阵列连接在比较器的输入端上,低位电容阵列通过桥电容Cs连接在比较器的输入端上,比较器的输出端连接逐次逼近寄存器及控制电路,桥电容Cs由多个单位电容C构成,还包括设置在低位电容阵列上的、与桥电容Cs相对应的对地电容Cg,对地电容Cg的容量能够与桥电容Cs的容量进行匹配校正。本发明所提供的电容分段结构逐次逼近型模数转换器能够提高电容分段结构SAR ADC的匹配精度,改善DNL/INL性能,并防止比较器输入端的电压超过电源电压的范围。
搜索关键词: 一种 电容 分段 结构 逐次 逼近 型模数 转换器
【主权项】:
一种电容分段结构逐次逼近型模数转换器,包括连接在比较器的输入端上的数模转换器,所述数模转换器包括常规电容结构的高位电容阵列和低位电容阵列,所述高位电容阵列连接在所述比较器的输入端上,所述低位电容阵列通过桥电容Cs连接在所述比较器的输入端上,所述比较器的输出端连接逐次逼近寄存器及控制电路,其特征是:所述桥电容Cs由多个单位电容C构成,还包括设置在所述低位电容阵列上的、与所述桥电容Cs相对应的对地电容Cg,所述对地电容Cg的容量能够与所述桥电容Cs的容量进行匹配校正。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于灿芯创智微电子技术(北京)有限公司,未经灿芯创智微电子技术(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711155620.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top