[发明专利]一种电容分段结构逐次逼近型模数转换器有效
申请号: | 201711155620.2 | 申请日: | 2017-11-20 |
公开(公告)号: | CN108155909B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 周泱 | 申请(专利权)人: | 灿芯创智微电子技术(北京)有限公司 |
主分类号: | H03M1/14 | 分类号: | H03M1/14 |
代理公司: | 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 | 代理人: | 田明;屈献庄 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电容 分段 结构 逐次 逼近 型模数 转换器 | ||
1.一种电容分段结构逐次逼近型模数转换器,包括连接在比较器的输入端上的数模转换器,逐次逼近寄存器及控制电路,桥电容Cs,其特征是:
所述数模转换器包括常规电容结构的高位电容阵列和低位电容阵列;
所述桥电容Cs由多个并联及串联的单位电容C构成;
所述高位电容阵列的第一端连接在所述比较器的输入端上,所述高位电容阵列的第二端连接至所述逐次逼近寄存器及控制电路;所述高位电容阵列包括多个高位电容,其中每个所述高位电容的第一端连接在所述比较器的输入端上,每个所述高位电容的第二端通过两个开关分别连接到VREFP和VREFN上;
所述低位电容阵列的第一端通过桥电容Cs连接在所述比较器的输入端上,第二端连接至所述逐次逼近寄存器及控制电路;所述低位电容阵列的第二端连接至所述逐次逼近寄存器及控制电路;所述低位电容阵列包括多个低位电容,其中每个所述低位电容的第一端连接连接至所述桥电容Cs的第一端,所述桥电容Cs的第二端连接到所述比较器的输入端上,每个所述低位电容的第二端通过两个开关分别连接到VREFP和VREFN上;
所述低位电容阵列还包括一个单位电容C,所述单位电容C的第一端连接至所述桥电容Cs的第一端,所述单位电容C的第二端连接到VREFN上;
所述低位电容阵列还包括一个对地电容Cg,所述对地电容Cg的第一端连接至所述桥电容Cs的第一端,所述对地电容Cg 的第二端连接到VREFN上;所述对地电容Cg由若干个并联的电容构成,其中部分所述并联的电容能够通过对地电容开关进行控制接地,实现对地电容Cg的容量的调整;所述对地电容开关通过数字逻辑进行控制;
所述桥电容Cs的容量的理论值与所述对地电容Cg的容量的理论值之间的关系为Cg=(2k-1)Cs-2kC,K大于等于1;
所述比较器的输出端连接逐次逼近寄存器及控制电路;
所述桥电容Cs由多个单位电容C构成,还包括设置在所述低位电容阵列上的、与所述桥电容Cs相对应的对地电容Cg,所述对地电容Cg的容量能够与所述桥电容Cs的容量进行匹配校正;
其中,所述VREFP为电源电压,VREFN为地。
2.如权利要求1所述的电容分段结构逐次逼近型模数转换器,其特征是:所述对地电容Cg的容量能够调整,所述对地电容Cg的容量的最大值大于所述对地电容Cg的容量的理论值,所述对地电容Cg的容量的最小值小于所述对地电容Cg的容量的理论值;所述对地电容Cg由若干个并联的电容构成,其中部分所述电容能够通过开关进行控制接地,实现所述对地电容Cg的容量的调整,进而实现与所述桥电容Cs的容量的匹配校正。
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