[发明专利]一种电容分段结构逐次逼近型模数转换器有效

专利信息
申请号: 201711155620.2 申请日: 2017-11-20
公开(公告)号: CN108155909B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 周泱 申请(专利权)人: 灿芯创智微电子技术(北京)有限公司
主分类号: H03M1/14 分类号: H03M1/14
代理公司: 北京天悦专利代理事务所(普通合伙) 11311 代理人: 田明;屈献庄
地址: 100176 北京市大兴区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 电容 分段 结构 逐次 逼近 型模数 转换器
【权利要求书】:

1.一种电容分段结构逐次逼近型模数转换器,包括连接在比较器的输入端上的数模转换器,逐次逼近寄存器及控制电路,桥电容Cs,其特征是:

所述数模转换器包括常规电容结构的高位电容阵列和低位电容阵列;

所述桥电容Cs由多个并联及串联的单位电容C构成;

所述高位电容阵列的第一端连接在所述比较器的输入端上,所述高位电容阵列的第二端连接至所述逐次逼近寄存器及控制电路;所述高位电容阵列包括多个高位电容,其中每个所述高位电容的第一端连接在所述比较器的输入端上,每个所述高位电容的第二端通过两个开关分别连接到VREFP和VREFN上;

所述低位电容阵列的第一端通过桥电容Cs连接在所述比较器的输入端上,第二端连接至所述逐次逼近寄存器及控制电路;所述低位电容阵列的第二端连接至所述逐次逼近寄存器及控制电路;所述低位电容阵列包括多个低位电容,其中每个所述低位电容的第一端连接连接至所述桥电容Cs的第一端,所述桥电容Cs的第二端连接到所述比较器的输入端上,每个所述低位电容的第二端通过两个开关分别连接到VREFP和VREFN上;

所述低位电容阵列还包括一个单位电容C,所述单位电容C的第一端连接至所述桥电容Cs的第一端,所述单位电容C的第二端连接到VREFN上;

所述低位电容阵列还包括一个对地电容Cg,所述对地电容Cg的第一端连接至所述桥电容Cs的第一端,所述对地电容Cg 的第二端连接到VREFN上;所述对地电容Cg由若干个并联的电容构成,其中部分所述并联的电容能够通过对地电容开关进行控制接地,实现对地电容Cg的容量的调整;所述对地电容开关通过数字逻辑进行控制;

所述桥电容Cs的容量的理论值与所述对地电容Cg的容量的理论值之间的关系为Cg=(2k-1)Cs-2kC,K大于等于1;

所述比较器的输出端连接逐次逼近寄存器及控制电路;

所述桥电容Cs由多个单位电容C构成,还包括设置在所述低位电容阵列上的、与所述桥电容Cs相对应的对地电容Cg,所述对地电容Cg的容量能够与所述桥电容Cs的容量进行匹配校正;

其中,所述VREFP为电源电压,VREFN为地。

2.如权利要求1所述的电容分段结构逐次逼近型模数转换器,其特征是:所述对地电容Cg的容量能够调整,所述对地电容Cg的容量的最大值大于所述对地电容Cg的容量的理论值,所述对地电容Cg的容量的最小值小于所述对地电容Cg的容量的理论值;所述对地电容Cg由若干个并联的电容构成,其中部分所述电容能够通过开关进行控制接地,实现所述对地电容Cg的容量的调整,进而实现与所述桥电容Cs的容量的匹配校正。

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