[发明专利]一种黄绿光发光二极管及制作方法有效
| 申请号： | 201711144430.0 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107768492B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 伏兵;杜石磊;韩效亚;张双翔 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/10;H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种黄绿光发光二极管及制作方法，该制作方法包括：提供一预设晶向的衬底；在衬底的一侧生长缓冲层；在缓冲层背离衬底的一侧生长分布式布拉格反射层；在分布式布拉格反射层背离缓冲层的一侧生长第一型限制层；在第一型限制层背离分布式布拉格反射层的一侧生长非掺杂超晶格有源层；在非掺杂超晶格有源层背离第一型限制层的一侧生长第二型限制层；在第二型限制层背离非掺杂超晶格有源层的一侧生长过渡层；在过渡层背离第二型限制层的一侧生长窗口层；在窗口层背离过渡层的一侧生长第一型电极；在衬底背离缓冲层的一侧生长第二型电极。该黄绿光发光二极管法向光强更高，具有很高的芯片亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 黄绿 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种黄绿光发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一预设晶向的衬底；在所述衬底的一侧生长缓冲层；在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长分布式布拉格反射层，其中，所述分布式布拉格反射层为掺杂Te的分布式布拉格反射层；在所述分布式布拉格反射层背离所述缓冲层的一侧生长第一型限制层，其中，所述第一型限制层为掺杂Te的第一型限制层；在所述第一型限制层背离所述分布式布拉格反射层的一侧生长非掺杂超晶格有源层；在所述非掺杂超晶格有源层背离所述第一型限制层的一侧生长第二型限制层；在所述第二型限制层背离所述非掺杂超晶格有源层的一侧生长过渡层；在所述过渡层背离所述第二型限制层的一侧生长窗口层；在所述窗口层背离所述过渡层的一侧生长第一型电极；在所述衬底背离所述缓冲层的一侧生长第二型电极；其中，所述在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长分布式布拉格反射层包括：在第一温度下，在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长第一预设厚度的分布式布拉格反射层；其中，所述第一温度的范围为610℃‑630℃，包括端点值，所述第一预设厚度的范围为50nm‑100nm，包括端点值。
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