[发明专利]一种黄绿光发光二极管及制作方法

说明书

本发明公开了一种黄绿光发光二极管及制作方法，该制作方法包括：提供一预设晶向的衬底；在衬底的一侧生长缓冲层；在缓冲层背离衬底的一侧生长分布式布拉格反射层；在分布式布拉格反射层背离缓冲层的一侧生长第一型限制层；在第一型限制层背离分布式布拉格反射层的一侧生长非掺杂超晶格有源层；在非掺杂超晶格有源层背离第一型限制层的一侧生长第二型限制层；在第二型限制层背离非掺杂超晶格有源层的一侧生长过渡层；在过渡层背离第二型限制层的一侧生长窗口层；在窗口层背离过渡层的一侧生长第一型电极；在衬底背离缓冲层的一侧生长第二型电极。该黄绿光发光二极管法向光强更高，具有很高的芯片亮度。

技术领域

本发明涉及光电子半导体技术领域，更具体地说，尤其涉及一种黄绿光发光二极管及制作方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，发光二极管已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)具有效率高、能耗低、寿命长、无污染、体积小、色彩丰富等诸多优点，为一种重要的固态照明装置。

四元系AGIP材料生长短波产品时，需要增加有源区的Al组分使波长变短，但是随着Al组分的增加，导致AGIP材料由直接带隙变为间接带隙，内量子效率低，进而使短波产品难以达到较高的芯片亮度。

传统的LED行业中红光功率效率约52％、蓝光功率效率约62％、而黄绿光功率效率只有约22％，无法更好的满足市场需求。

因此，如何提供一种高亮度的黄绿光发光二极管是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种黄绿光发光二极管及制作方法，该黄绿光发光二极管法向光强更高，具有很高的芯片亮度。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种黄绿光发光二极管的制作方法，所述制作方法包括：

提供一预设晶向的衬底；

在所述衬底的一侧生长缓冲层；

在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长分布式布拉格反射层；

在所述分布式布拉格反射层背离所述缓冲层的一侧生长第一型限制层；

在所述第一型限制层背离所述分布式布拉格反射层的一侧生长非掺杂超晶格有源层；

在所述非掺杂超晶格有源层背离所述第一型限制层的一侧生长第二型限制层；

在所述第二型限制层背离所述非掺杂超晶格有源层的一侧生长过渡层；

在所述过渡层背离所述第二型限制层的一侧生长窗口层；

在所述窗口层背离所述过渡层的一侧生长第一型电极；

在所述衬底背离所述缓冲层的一侧生长第二型电极。

优选的，在上述制作方法中，所述预设晶向的衬底为晶向为1.5度-2.5度的N-GaAs衬底。

优选的，在上述制作方法中，所述在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长分布式布拉格反射层包括：

在第一温度下，在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长第一预设厚度的分布式布拉格反射层；

其中，所述第一温度的范围为610℃-630℃，包括端点值，所述第一预设厚度的范围为50nm-100nm，包括端点值。

优选的，在上述制作方法中，所述分布式布拉格反射层为掺杂Te的分布式布拉格反射层。